高压半桥栅驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010315906.8

申请日：

2020-04-21

公开(公告)号：

CN111490667B

公开(公告)日：

2020-08-04

发明(设计)人：

陈珍海王民安宁仁霞何宁业许媛项建辉郑科峰汪礼鲍婕吕海江郑春鸣王志亮

申请人：

申请人地址：

245000 安徽省黄山市屯溪区西海路39号

IPC主分类号：

H02M108

IPC分类号：

H02M138

代理机构：

芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128

代理人：

曹宏筠

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H02M 1/08 变更事项:申请人变更前:黄山学院变更后:黄山学院变更事项:地址变更前:245000 安徽省黄山市屯溪区西海路39号变更后:245000 安徽省黄山市屯溪区西海路39号变更事项:申请人变更前:安徽省祁门县黄山电器有限责任公司变更后:黄山芯微电子股份有限公司
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20200421
2021-11-16	授权	授权
2020-08-04	公开	公开

共 50 条

[1]

高速MOSFET半桥栅驱动电路 [P].

丁浩宸 ;

杨超 ;

陈志阳 ;

徐彩云 .

中国专利 :CN114244083A ,2022-03-25

[2]

超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

马君健 ;

黄伟 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN113078801B ,2021-07-06

[3]

高压半桥驱动电路 [P].

刘雨鑫 ;

张豪 ;

郑怀仓 .

中国专利 :CN109951060B ,2019-06-28

[4]

输出电阻可编程MOSFET半桥栅驱动电路 [P].

杨超 ;

陈志阳 ;

丁浩宸 .

中国专利 :CN117674793A ,2024-03-08

[5]

用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路 [P].

祝靖 ;

陆扬扬 ;

王浩 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107800281A ,2018-03-13

[6]

用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

黄伟 ;

卢红亮 ;

张卫 .

中国专利 :CN113541451B ,2021-10-22

[7]

超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

徐宏 ;

黄伟 ;

陈珍海 ;

马君健 ;

李亮 .

中国专利 :CN113098471B ,2021-07-09

[8]

智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

王民安 ;

何宁业 ;

宁仁霞 ;

许媛 ;

项建辉 ;

郑科峰 ;

汪礼 ;

鲍婕 ;

吕海江 .

中国专利 :CN113162378B ,2021-07-23

[9]

驱动电路及半桥驱动电路 [P].

牛旭华 ;

郑晨 .

中国专利 :CN119154649B ,2025-11-14

[10]

驱动电路及半桥驱动电路 [P].

牛旭华 ;

郑晨 .

中国专利 :CN119154649A ,2024-12-17

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