屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010503632.5

申请日：

2020-06-05

公开(公告)号：

CN111627820B

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

李枭谢志平刘长灵丛茂杰

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

史治法

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-15	授权	授权
2021-08-24	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:申请人变更前:中芯集成电路制造（绍兴）有限公司变更后:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司变更事项:地址变更前:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号变更后:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
2020-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200605
2020-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 [P].

宋勇 ;

李雪梅 ;

张雪 .

中国专利 :CN113035715B ,2021-06-25

[2]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

黄昕 ;

张帅 .

中国专利 :CN108493251A ,2018-09-04

[3]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

刘龙平 .

中国专利 :CN113327858B ,2024-02-06

[4]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

刘龙平 .

中国专利 :CN113327858A ,2021-08-31

[5]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

周圣杰 ;

宋金星 .

中国专利 :CN118866690A ,2024-10-29

[6]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

安秋爽 ;

徐承福 ;

徐旭东 ;

丛茂杰 ;

陆珏 .

中国专利 :CN117976720A ,2024-05-03

[7]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(柱形) [P].

张帅 ;

黄昕 .

中国专利 :CN108598165B ,2018-09-28

[8]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

倪崇尧 .

中国专利 :CN120812987A ,2025-10-17

[9]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

聂瑞芬 ;

金锐 ;

和峰 ;

田宝华 ;

李哲洋 ;

崔翔 .

中国专利 :CN119317158A ,2025-01-14

[10]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卜伟海 .

中国专利 :CN104733320A ,2015-06-24

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