屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410148238.2

申请日：

2024-02-01

公开(公告)号：

CN117976720A

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

安秋爽徐承福徐旭东丛茂杰陆珏

申请人：

芯联集成电路制造股份有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L23/48 H01L29/08 H01L21/336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240201
2024-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

李枭 ;

谢志平 ;

刘长灵 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN111627820B ,2020-09-04

[2]

屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

周圣杰 ;

宋金星 .

中国专利 :CN118866690A ,2024-10-29

[3]

沟槽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN114927567A ,2022-08-19

[4]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 [P].

宋勇 ;

李雪梅 ;

张雪 .

中国专利 :CN113035715B ,2021-06-25

[5]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

黄昕 ;

张帅 .

中国专利 :CN108493251A ,2018-09-04

[6]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

刘龙平 .

中国专利 :CN113327858B ,2024-02-06

[7]

屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

刘龙平 .

中国专利 :CN113327858A ,2021-08-31

[8]

顶栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖洪山 ;

刘洪刚 ;

张志勇 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN117377328A ,2024-01-09

[9]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06

[10]

一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

马献 ;

刘杰 .

中国专利 :CN117650179B ,2025-05-06

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