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顶栅场效应晶体管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210742669.2
申请日：
2022-06-28
公开(公告)号：
CN117377328A
公开(公告)日：
2024-01-09
发明(设计)人：
肖洪山 刘洪刚 张志勇 彭练矛
申请人：
北京大学 北京元芯碳基集成电路研究院 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请人地址：
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号：
H10K10/88
IPC分类号：
H10K10/46 H10K85/20
代理机构：
北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807
代理人：
孙敬霞;韩德凯
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-01-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10K 10/88申请日:20220628
2024-01-09 公开 公开
共 50 条
[1]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖德元 ;
张汝京 .
中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26
[2]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
卢年端 ;
李泠 ;
揣喜臣 ;
杨冠华 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06
[3]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
肖祥 ;
李伟 .
中国专利 :CN110323277B ,2021-01-29
[4]
场效应晶体管及其栅结构 [P]. 
林毓超 ;
林志忠 ;
林益安 ;
林日泽 ;
陈昭成 ;
陈嘉仁 ;
张文 .
中国专利 :CN101997027A ,2011-03-30
[5]
沟槽栅场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
许耀光 ;
刘安淇 ;
蔡建成 ;
郑俊义 .
中国专利 :CN114927567A ,2022-08-19
[6]
屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
安秋爽 ;
徐承福 ;
徐旭东 ;
丛茂杰 ;
陆珏 .
中国专利 :CN117976720A ,2024-05-03
[7]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
秦旭东 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31
[8]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
毕津顺 ;
海潮和 ;
韩郑生 ;
罗家俊 .
中国专利 :CN103022084A ,2013-04-03
[9]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
赵龙杰 ;
张新 ;
郑芳 .
中国专利 :CN120282508A ,2025-07-08
[10]
互补场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖德元 .
中国专利 :CN106601738A ,2017-04-26
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