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沟槽栅场效应晶体管及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202210468148.2
申请日：
2022-04-27
公开(公告)号：
CN114927567A
公开(公告)日：
2022-08-19
发明(设计)人：
许耀光 刘安淇 蔡建成 郑俊义
申请人：
申请人地址：
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号：
H01L2949
IPC分类号：
H01L29423 H01L2128
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
郑星
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20220427
2022-08-19 公开 公开
共 50 条
[1]
沟槽栅场效应晶体管 [P]. 
许耀光 ;
刘安淇 ;
蔡建成 ;
郑俊义 .
中国专利 :CN217444401U ,2022-09-16
[2]
屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
安秋爽 ;
徐承福 ;
徐旭东 ;
丛茂杰 ;
陆珏 .
中国专利 :CN117976720A ,2024-05-03
[3]
屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
宋勇 ;
李雪梅 ;
张雪 .
中国专利 :CN113035715B ,2021-06-25
[4]
沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
哈姆扎·耶尔马兹 ;
丹尼尔·卡拉菲特 ;
克里斯托弗·博古斯瓦·科考恩 ;
史蒂文·P·萨普 ;
迪安·E·普罗布斯特 ;
内森·L·克拉夫特 ;
托马斯·E·格雷布斯 ;
罗德尼·S·里德利 ;
加里·M·多尔尼 ;
布鲁斯·D·马钱特 ;
约瑟夫·A·叶季纳科 .
中国专利 :CN101542731A ,2009-09-23
[5]
沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
哈姆扎·耶尔马兹 ;
丹尼尔·卡拉菲特 ;
克里斯托弗·博古斯瓦·科考恩 ;
史蒂文·P·萨普 ;
迪安·E·普罗布斯特 ;
内森·L·克拉夫特 ;
托马斯·E·格雷布斯 ;
罗德尼·S·里德利 ;
加里·M·多尔尼 ;
布鲁斯·D·马钱特 ;
约瑟夫·A·叶季纳科 .
中国专利 :CN102738239A ,2012-10-17
[6]
沟槽栅场效应晶体管及制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN106057905A ,2016-10-26
[7]
沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
罗顶 ;
徐承福 ;
韩玉亮 ;
陆珏 ;
樊如雪 .
中国专利 :CN117038708B ,2024-01-23
[8]
顶栅场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖洪山 ;
刘洪刚 ;
张志勇 ;
彭练矛 .
中国专利 :CN117377328A ,2024-01-09
[9]
屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
张子敏 ;
王宇澄 ;
虞国新 ;
吴飞 ;
钟军满 .
中国专利 :CN114141875A ,2022-03-04
[10]
屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
张子敏 ;
王宇澄 ;
虞国新 ;
吴飞 ;
钟军满 .
中国专利 :CN114141861A ,2022-03-04
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