沟槽栅场效应晶体管及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610675000.0

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

CN106057905A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	公开	公开
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688775278 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016106750000 申请日:20160816
2019-10-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20161026

共 50 条

[1]

沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

哈姆扎·耶尔马兹 ;

丹尼尔·卡拉菲特 ;

克里斯托弗·博古斯瓦·科考恩 ;

史蒂文·P·萨普 ;

迪安·E·普罗布斯特 ;

内森·L·克拉夫特 ;

托马斯·E·格雷布斯 ;

罗德尼·S·里德利 ;

加里·M·多尔尼 ;

布鲁斯·D·马钱特 ;

约瑟夫·A·叶季纳科 .

中国专利 :CN101542731A ,2009-09-23

[2]

沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

哈姆扎·耶尔马兹 ;

丹尼尔·卡拉菲特 ;

克里斯托弗·博古斯瓦·科考恩 ;

史蒂文·P·萨普 ;

迪安·E·普罗布斯特 ;

内森·L·克拉夫特 ;

托马斯·E·格雷布斯 ;

罗德尼·S·里德利 ;

加里·M·多尔尼 ;

布鲁斯·D·马钱特 ;

约瑟夫·A·叶季纳科 .

中国专利 :CN102738239A ,2012-10-17

[3]

沟槽型场效应晶体管及其制造方法 [P].

韩健 ;

邵向荣 .

中国专利 :CN104465780B ,2015-03-25

[4]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

朱昊伟 .

中国专利 :CN119698045A ,2025-03-25

[6]

沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法 [P].

蔡金勇 ;

刘坚 ;

董仕达 ;

王振翰 .

中国专利 :CN115497828A ,2022-12-20

[7]

沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法 [P].

蔡金勇 ;

刘坚 ;

董仕达 ;

王振翰 .

中国专利 :CN115497828B ,2025-08-12

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21

[9]

屏蔽栅沟槽场效应晶体管及其制备方法 [P].

宋勇 ;

李雪梅 ;

张雪 .

中国专利 :CN113035715B ,2021-06-25

[10]

沟槽栅场效应晶体管及其制备方法 [P].

许耀光 ;

刘安淇 ;

蔡建成 ;

郑俊义 .

中国专利 :CN114927567A ,2022-08-19

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