沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211188475.9

申请日：

2022-09-27

公开(公告)号：

CN115497828B

公开(公告)日：

2025-08-12

发明(设计)人：

蔡金勇刘坚董仕达王振翰

申请人：

芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司

申请人地址：

310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-608

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/66 H10D64/27

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

丁俊萍

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/336变更事项:申请人变更前:杭州芯迈半导体技术有限公司变更后:芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201变更后:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-608
2025-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法 [P].

蔡金勇 ;

刘坚 ;

董仕达 ;

王振翰 .

中国专利 :CN115497828A ,2022-12-20

[2]

沟槽型场效应晶体管 [P].

韩玉亮 ;

徐承福 ;

钟志鸿 .

中国专利 :CN119153529A ,2024-12-17

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[4]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[5]

沟槽型SiC场效应晶体管 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

万胜堂 ;

王坤 ;

王毅 .

中国专利 :CN223195065U ,2025-08-05

[6]

沟槽型场效应晶体管及其制造方法 [P].

韩健 ;

邵向荣 .

中国专利 :CN104465780B ,2015-03-25

[7]

沟槽型场效应晶体管及其制造方法 [P].

王辉 ;

章剑锋 .

中国专利 :CN119815882A ,2025-04-11

[8]

沟槽MOS场效应晶体管 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342640U ,2021-01-12

[9]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

A·库马尔 .

中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20

[10]

场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法 [P].

相马充 .

中国专利 :CN114823869A ,2022-07-29

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