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沟槽型场效应晶体管及沟槽型场效应晶体管的制造方法
被引：0
申请号：
CN202211188475.9
申请日：
2022-09-27
公开(公告)号：
CN115497828A
公开(公告)日：
2022-12-20
发明(设计)人：
蔡金勇
刘坚
董仕达
王振翰
申请人：
申请人地址：
310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L29423
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
丁俊萍
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-01-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220927 |
| 2022-12-20 | 公开 | 公开 |