一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610850406.8
申请日
2016-09-26
公开(公告)号
CN106373785A
公开(公告)日
2017-02-01
发明(设计)人
张小俊 付阳
申请人
申请人地址
241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学
IPC主分类号
H01G1124
IPC分类号
H01G1130 H01G1132 H01G1146 H01G1186
代理机构
芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107
代理人
任晨晨
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种在碳布上生长的氢氧化镍@二氧化锰核壳异质结构纳米片阵列材料、制备方法及其应用 [P]. 
张小俊 ;
付阳 .
中国专利 :CN106298285A ,2017-01-04
[2]
一种钴酸锌@二氧化锰核壳异质结构纳米管阵列材料、制备方法及其应用 [P]. 
张小俊 ;
马文勤 ;
南红红 .
中国专利 :CN104465117A ,2015-03-25
[3]
一维二氧化锰@钴酸镍核壳异质结构复合材料及其制备方法以及应用 [P]. 
王秀华 ;
石波 .
中国专利 :CN106449176A ,2017-02-22
[4]
一维二氧化锰@碳@氢氧化镍核-壳纳米线复合材料的制备方法和应用 [P]. 
王秀华 ;
容芳 ;
唐纪平 .
中国专利 :CN110189925B ,2019-08-30
[5]
二氧化锰/钴酸镍@泡沫镍核壳异质催化剂的制备方法 [P]. 
张启蒙 ;
张娜 ;
刘怡 ;
李佳佳 .
中国专利 :CN112221513A ,2021-01-15
[6]
一种二氧化锰纳米线的制备方法 [P]. 
潘栋宇 ;
侯梅芳 ;
刘超男 ;
周建 ;
杜三艳 .
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[7]
钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极及其制备方法 [P]. 
刘金平 ;
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[8]
一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用 [P]. 
张小俊 ;
顾正翔 ;
汪阮峰 .
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[9]
一种纳米二氧化锰的制备方法及其应用 [P]. 
蒋光辉 ;
陈海青 ;
刘俊 ;
牛莎莎 .
中国专利 :CN104773760A ,2015-07-15
[10]
一种氧化锌@二氧化锰@聚吡咯三元核壳异质结构纳米棒阵列材料、制备方法及其应用 [P]. 
张小俊 ;
马文勤 ;
南红红 ;
石强强 .
中国专利 :CN104752070A ,2015-07-01