一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510153050.8
申请日
2015-04-01
公开(公告)号
CN104752071A
公开(公告)日
2015-07-01
发明(设计)人
张小俊 顾正翔 汪阮峰
申请人
申请人地址
241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学
IPC主分类号
H01G1146
IPC分类号
H01G1130 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107
代理人
马荣
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种铁掺杂四氧化三钴/氮化钴异质结构纳米线电极材料的制备方法和应用 [P]. 
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[2]
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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张小俊 ;
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[9]
超级电容器用层次纳米结构四氧化三钴/钼酸钴复合电极材料及其制备方法 [P]. 
周敏 ;
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[10]
一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法 [P]. 
鲍瑞 ;
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方东 ;
易健宏 .
中国专利 :CN112331845A ,2021-02-05