四氧化三钴纳米线阵列的制备方法及其产品和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811576723.0

申请日：

2018-12-23

公开(公告)号：

CN109650464A

公开(公告)日：

2019-04-19

发明(设计)人：

何丹农周移金彩虹

申请人：

申请人地址：

201109 上海市闵行区剑川路468号

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000 H01M452 H01M100525

代理机构：

上海东亚专利商标代理有限公司 31208

代理人：

董梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-19	公开	公开
2022-01-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G 51/04 申请公布日:20190419

共 50 条

[1]

自组装菱形花簇四氧化三钴纳米材料的制备方法及其产品和应用 [P].

何丹农 ;

林琳 ;

周移 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN107739058A ,2018-02-27

[2]

一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法 [P].

鲍瑞 ;

张腾 ;

方东 ;

易健宏 .

中国专利 :CN112331845A ,2021-02-05

[3]

钴酸锌/氧化镍核壳纳米线阵列的制备方法和应用 [P].

孙志鹏 .

中国专利 :CN103956483A ,2014-07-30

[4]

一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用 [P].

张小俊 ;

顾正翔 ;

汪阮峰 .

中国专利 :CN104752071A ,2015-07-01

[5]

一种全固态四氧化三钴纳米线阵列/Ti电催化剂及其制备方法和应用 [P].

杨丽霞 ;

黎洁 ;

马天柱 ;

张书渠 .

中国专利 :CN113247993A ,2021-08-13

[6]

四氧化三钴多孔纳米线阵列的超级电容器电极材料及其制备方法 [P].

韩丹丹 ;

徐鹏程 ;

丁元生 ;

程振玉 .

中国专利 :CN104681299B ,2015-06-03

[7]

一种四氧化三钴分级结构纳米阵列材料、制备方法及其应用 [P].

张小俊 ;

丁孟梦 .

中国专利 :CN108346522A ,2018-07-31

[8]

一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途 [P].

朱丽萍 ;

文震 ;

梅伟民 .

中国专利 :CN102556941B ,2012-07-11

[9]

多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用 [P].

宋卫国 ;

窦智峰 ;

曹昌燕 .

中国专利 :CN104003454B ,2014-08-27

[10]

一种聚吡咯包覆四氧化三钴纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用 [P].

许鑫华 ;

贾丽敏 ;

王文静 ;

张岩 ;

王超 .

中国专利 :CN108287190A ,2018-07-17

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