多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410218728.1

申请日：

2014-05-22

公开(公告)号：

CN104003454B

公开(公告)日：

2014-08-27

发明(设计)人：

宋卫国窦智峰曹昌燕

申请人：

申请人地址：

100080 北京市海淀区中关村北一街2号

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000 G01N3300

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	授权	授权
2014-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587088690 IPC(主分类):C01G 51/04 专利申请号:2014102187281 申请日:20140522
2014-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种活性羟基氧化钴纳米线及其制备方法和应用 [P].

娄晓明 ;

黄佳丽 ;

袁龙华 ;

吴智 ;

朱莉云 ;

王津津 ;

赵洪 .

中国专利 :CN108383170B ,2018-08-10

[2]

一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用 [P].

李媛 ;

王国鹏 ;

陈康莉 ;

王继东 ;

韩树民 .

中国专利 :CN114011412A ,2022-02-08

[3]

纳米多孔碳/钴/氧化钴复合材料及其制备方法和应用 [P].

梁瑾 ;

王炯辉 ;

孔杰 ;

李春炜 ;

王斌 ;

李宗乘 ;

曹鑫 .

中国专利 :CN115975598B ,2025-05-27

[4]

氧化钴纳米管及其制备方法和应用 [P].

龚德才 ;

徐海平 ;

王耐清 ;

李小兵 .

中国专利 :CN109850956A ,2019-06-07

[5]

纳米氧化钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982421A ,2011-03-02

[6]

四氧化三钴纳米线阵列的制备方法及其产品和应用 [P].

何丹农 ;

周移 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN109650464A ,2019-04-19

[7]

泡沫镍上生长碳包覆氧化钴纳米线阵列及其制备方法 [P].

郑鹏 ;

曹金花 ;

郭守武 ;

刘毅 ;

张利锋 ;

原晓艳 ;

王晓飞 ;

霍京浩 .

中国专利 :CN107093717A ,2017-08-25

[8]

铝掺杂纳米羟基氧化钴及其制备方法和应用 [P].

张荣洲 ;

刘人生 ;

晋金鑫 ;

肖伶俐 .

中国专利 :CN118183867A ,2024-06-14

[9]

一种硫氧化钴多孔纳米棒材料的制备方法及其应用 [P].

陶凯 ;

李幼静 ;

韩磊 .

中国专利 :CN111599606A ,2020-08-28

[10]

四氧化三钴纳米晶及其制备方法与应用 [P].

孙海燕 ;

吕洪水 .

中国专利 :CN110451584A ,2019-11-15

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