纳米氧化钴的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010513540.1

申请日：

2010-10-21

公开(公告)号：

CN101982421A

公开(公告)日：

2011-03-02

发明(设计)人：

戴振华柏瑞芳丁一东

申请人：

申请人地址：

224217 江苏省东台市西郊工业园

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈忠辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101063293044 IPC(主分类):C01G 51/04 专利申请号:2010105135401 申请日:20101021
2011-03-02	公开	公开
2020-10-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 51/04 申请日:20101021 授权公告日:20130612 终止日期:20191021
2013-06-12	授权	授权

共 50 条

[1]

电池级四氧化三钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101913659A ,2010-12-15

[2]

纳米氧化钴的制造方法 [P].

胡天兵 ;

戴晖 ;

赵娟 .

中国专利 :CN1276345A ,2000-12-13

[3]

一种纳米氧化钴的制备方法 [P].

张爱民 ;

董玉明 ;

尹琳 ;

殷英 ;

何坤 .

中国专利 :CN100408483C ,2007-05-16

[4]

一种纳米氧化钴电极材料的制备方法 [P].

徐艳 ;

侯晓刚 ;

施本义 ;

康向京 ;

施辉 ;

王小丽 ;

王明 .

中国专利 :CN118579848A ,2024-09-03

[5]

大晶粒度高安全性四氧化三钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982422A ,2011-03-02

[6]

一种片状羟基氧化钴的制备方法 [P].

许开华 ;

刘雪晴 ;

叶晗晨 ;

李炳忠 ;

王佳敏 ;

杨鹏 ;

戴熹 ;

唐洲 .

中国专利 :CN119059574A ,2024-12-03

[7]

一种正八面体氧化钴微纳米颗粒材料制备方法 [P].

张新孟 ;

张艺华 ;

于成龙 ;

伍媛婷 ;

王秀峰 ;

刘长青 .

中国专利 :CN107827166A ,2018-03-23

[8]

一种亚纳米级氧化钴的生产方法 [P].

王冰凌 .

中国专利 :CN1931727B ,2007-03-21

[9]

球形羟基氧化钴的制备方法 [P].

方谋 ;

王要武 ;

何向明 ;

王莉 ;

尚玉明 ;

高剑 ;

郭建伟 ;

毛宗强 .

中国专利 :CN103482710B ,2014-01-01

[10]

氧化钴锂材料的制备方法 [P].

吴孟涛 ;

王瑞忠 ;

张宏伟 ;

樊永利 ;

周大桥 ;

王星 .

中国专利 :CN1361061A ,2002-07-31

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