大晶粒度高安全性四氧化三钴的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010513553.9

申请日：

2010-10-21

公开(公告)号：

CN101982422A

公开(公告)日：

2011-03-02

发明(设计)人：

戴振华柏瑞芳丁一东

申请人：

申请人地址：

224217 江苏省东台市西郊工业园

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈忠辉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 51/04 申请日:20101021 授权公告日:20130410 终止日期:20191021
2011-03-02	公开	公开
2011-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101063296210 IPC(主分类):C01G 51/04 专利申请号:2010105135539 申请日:20101021
2013-04-10	授权	授权

共 50 条

[1]

电池级四氧化三钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101913659A ,2010-12-15

[2]

电池级高安全性球形四氧化三钴的制备方法 [P].

沈恒冠 ;

袁巧平 ;

韩道洋 .

中国专利 :CN101585559B ,2009-11-25

[3]

一种大晶粒度四氧化三钴的混合装置 [P].

戴振华 ;

戴朗 .

中国专利 :CN207237825U ,2018-04-17

[4]

纳米氧化钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982421A ,2011-03-02

[5]

碳酸钴的制备方法以及四氧化三钴的制备方法 [P].

胡扬剑 ;

周卫 .

中国专利 :CN109319846A ,2019-02-12

[6]

一种中粒度四氧化三钴的制备方法 [P].

谭玉虎 ;

赵宗明 ;

李俊峰 ;

汤玲花 ;

王平德 ;

初旭 ;

王景誉 ;

马子源 .

中国专利 :CN112320855B ,2021-02-05

[7]

一种小粒度四氧化三钴的制备方法 [P].

陈晓闯 ;

刘世红 ;

吴来红 ;

赵宗明 .

中国专利 :CN108946825A ,2018-12-07

[8]

四氧化三钴的制造方法 [P].

戴振华 .

中国专利 :CN1151971C ,2002-10-30

[9]

四氧化三钴的制备方法 [P].

刘少军 ;

张宏生 ;

尚玉明 ;

王莉 ;

高剑 ;

李建军 ;

罗晶 ;

何向明 ;

王要武 .

中国专利 :CN104098145A ,2014-10-15

[10]

一种电池用大粒度四氧化三钴的制备方法 [P].

刘永杰 ;

刘明通 .

中国专利 :CN119461498A ,2025-02-18

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