电池级四氧化三钴的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010249078.9

申请日：

2010-08-10

公开(公告)号：

CN101913659A

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

戴振华柏瑞芳丁一东

申请人：

申请人地址：

224217 江苏省东台市西郊工业园

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈忠辉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-15	公开	公开
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035092316 IPC(主分类):C01G 51/04 专利申请号:2010102490789 申请日:20100810
2012-07-04	授权	授权
2020-07-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 51/04 申请日:20100810 授权公告日:20120704 终止日期:20190810

共 50 条

[1]

大晶粒度高安全性四氧化三钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982422A ,2011-03-02

[2]

纳米氧化钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982421A ,2011-03-02

[3]

一种高振实电池级四氧化三钴的制备方法 [P].

陈少辉 ;

刘华旭 ;

祝小明 .

中国专利 :CN108439489A ,2018-08-24

[4]

电池级四氧化三钴的制备方法 [P].

李军秀 ;

杜长福 ;

朱文兵 ;

黄孝伟 .

中国专利 :CN112299492A ,2021-02-02

[5]

碳酸钴的制备方法以及四氧化三钴的制备方法 [P].

胡扬剑 ;

周卫 .

中国专利 :CN109319846A ,2019-02-12

[6]

电池级球形四氧化三钴的湿法制备方法 [P].

周汉章 ;

陈明峰 ;

何金华 .

中国专利 :CN101434417A ,2009-05-20

[7]

一种电池级大粒度四氧化三钴的制备方法 [P].

常全忠 ;

胡家彦 ;

王红忠 ;

江昆松 ;

吴来红 ;

刘光辉 ;

汤玲花 ;

陈晓闯 ;

高小琴 ;

王国超 ;

宋芳 ;

何艳 ;

刘世红 ;

万雲云 .

中国专利 :CN105271441A ,2016-01-27

[8]

四氧化三钴的制造方法 [P].

戴振华 .

中国专利 :CN1151971C ,2002-10-30

[9]

四氧化三钴的制备方法 [P].

刘少军 ;

张宏生 ;

尚玉明 ;

王莉 ;

高剑 ;

李建军 ;

罗晶 ;

何向明 ;

王要武 .

中国专利 :CN104098145A ,2014-10-15

[10]

电池级高安全性球形四氧化三钴的制备方法 [P].

沈恒冠 ;

袁巧平 ;

韩道洋 .

中国专利 :CN101585559B ,2009-11-25

← 1 2 3 4 5 →