一种纳米氧化钴的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610097956.3

申请日：

2006-11-23

公开(公告)号：

CN100408483C

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

张爱民董玉明尹琳殷英何坤

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司

代理人：

汤志武;王鹏翔

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101384117879 IPC(主分类):C01G 51/04 专利号:ZL2006100979563 申请日:20061123 授权公告日:20080806 终止日期:20111123
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-05-16	公开	公开
2008-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米氧化钴的制备方法 [P].

戴振华 ;

柏瑞芳 ;

丁一东 .

中国专利 :CN101982421A ,2011-03-02

[2]

纳米氧化钴的制造方法 [P].

胡天兵 ;

戴晖 ;

赵娟 .

中国专利 :CN1276345A ,2000-12-13

[3]

一种纳米氧化钴电极材料的制备方法 [P].

徐艳 ;

侯晓刚 ;

施本义 ;

康向京 ;

施辉 ;

王小丽 ;

王明 .

中国专利 :CN118579848A ,2024-09-03

[4]

一种超细氧化钴的制备方法 [P].

许开华 ;

唐洲 ;

陈龙 ;

杨春 ;

张海勇 ;

刘玉成 .

中国专利 :CN113149084A ,2021-07-23

[5]

一种碳纳米管、氧化钴复合结构的液相制备方法 [P].

董玉明 ;

蒋平平 ;

王光丽 ;

宋佳 ;

董璇璇 ;

顾晓霞 ;

王鑫 .

中国专利 :CN101898134B ,2010-12-01

[6]

一种介孔氧化钴纳米材料的制备方法及其应用 [P].

马立梦 ;

沈绍典 ;

毛东森 ;

卢冠忠 .

中国专利 :CN106186086A ,2016-12-07

[7]

一种羟基氧化钴的制备方法 [P].

訚硕 ;

尹桂珍 .

中国专利 :CN103232075A ,2013-08-07

[8]

一种快速制备氧化钴的方法 [P].

蔡世德 ;

呼义坤 .

中国专利 :CN107601582A ,2018-01-19

[9]

一种制备羟基氧化钴的方法 [P].

朱用 ;

袁超群 ;

李加闯 ;

褚凤辉 ;

王梁梁 ;

贺建军 .

中国专利 :CN113788501A ,2021-12-14

[10]

一种制备纳米羟基氧化钴锰的方法 [P].

田庆华 ;

王相 ;

郭学益 .

中国专利 :CN106379948A ,2017-02-08

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