一种羟基氧化钴的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310124558.6
申请日
2013-04-11
公开(公告)号
CN103232075A
公开(公告)日
2013-08-07
发明(设计)人
訚硕 尹桂珍
申请人
申请人地址
410600 湖南省长沙市宁乡经济技术开发区新康路雅城工业园
IPC主分类号
C01G5104
IPC分类号
C01G5100
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
王朋飞
法律状态
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
一种制备羟基氧化钴的方法 [P]. 
朱用 ;
袁超群 ;
李加闯 ;
褚凤辉 ;
王梁梁 ;
贺建军 .
中国专利 :CN113788501A ,2021-12-14
[2]
球形羟基氧化钴的制备方法 [P]. 
方谋 ;
王要武 ;
何向明 ;
王莉 ;
尚玉明 ;
高剑 ;
郭建伟 ;
毛宗强 .
中国专利 :CN103482710B ,2014-01-01
[3]
一种羟基氧化钴的制备方法 [P]. 
周汉章 ;
唐红辉 ;
刘更好 ;
廖折军 .
中国专利 :CN102569785A ,2012-07-11
[4]
球形羟基氧化钴‑四氧化三钴复合材料的制备方法 [P]. 
刘茨梅 ;
陈要忠 ;
程中原 .
中国专利 :CN104716303B ,2015-06-17
[5]
一种羟基氧化钴生产方法 [P]. 
韦承僚 ;
张晓华 ;
周红阳 .
中国专利 :CN102689933A ,2012-09-26
[6]
一种球形羟基氧化钴的制备方法 [P]. 
宋顺林 ;
郑长春 ;
刘亚飞 ;
陈彦彬 .
中国专利 :CN103904323B ,2018-06-22
[7]
一种片状羟基氧化钴的制备方法 [P]. 
许开华 ;
刘雪晴 ;
叶晗晨 ;
李炳忠 ;
王佳敏 ;
杨鹏 ;
戴熹 ;
唐洲 .
中国专利 :CN119059574A ,2024-12-03
[8]
一种羟基氧化钴及其制备方法和应用 [P]. 
朱用 ;
耿新新 ;
褚凤辉 ;
沈枭 ;
王梁梁 .
中国专利 :CN119569133A ,2025-03-07
[9]
一种制备羟基氧化钴的反应装置 [P]. 
朱用 ;
袁超群 ;
李加闯 ;
褚凤辉 ;
王梁梁 ;
贺建军 .
中国专利 :CN216063251U ,2022-03-18
[10]
一种表面致密内部疏松的羟基氧化钴及其制备方法 [P]. 
李加闯 ;
朱用 ;
褚凤辉 ;
王梁梁 ;
贺建军 .
中国专利 :CN113800572A ,2021-12-17