一种表面致密内部疏松的羟基氧化钴及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110975116.7

申请日：

2021-08-24

公开(公告)号：

CN113800572A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

李加闯朱用褚凤辉王梁梁贺建军

申请人：

申请人地址：

226010 江苏省南通市开发区新开南路09号

IPC主分类号：

C01G5104

IPC分类号：

C01G5100 H01M4525 H01M100525

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;陈昊宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	公开	公开
2022-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 51/04 申请日:20210824

共 50 条

[1]

一种羟基氧化钴及其制备方法和应用 [P].

朱用 ;

耿新新 ;

褚凤辉 ;

沈枭 ;

王梁梁 .

中国专利 :CN119569133A ,2025-03-07

[2]

一种制备羟基氧化钴的方法 [P].

朱用 ;

袁超群 ;

李加闯 ;

褚凤辉 ;

王梁梁 ;

贺建军 .

中国专利 :CN113788501A ,2021-12-14

[3]

一种羟基氧化钴的制备方法 [P].

訚硕 ;

尹桂珍 .

中国专利 :CN103232075A ,2013-08-07

[4]

一种羟基氧化钴表面包覆的发泡镍电极及其制备方法 [P].

周霞 .

中国专利 :CN109148834A ,2019-01-04

[5]

掺杂羟基氧化钴及其制备方法、掺杂型四氧化三钴 [P].

王鸿 ;

刘人生 ;

张荣洲 ;

梁恩召 ;

周恩娄 ;

肖伶俐 .

中国专利 :CN118479557A ,2024-08-13

[6]

掺杂羟基氧化钴及其制备方法 [P].

刘人生 ;

徐伟 ;

张荣洲 ;

张克军 ;

周恩娄 .

中国专利 :CN117682566A ,2024-03-12

[7]

一种片状羟基氧化钴的制备方法 [P].

许开华 ;

刘雪晴 ;

叶晗晨 ;

李炳忠 ;

王佳敏 ;

杨鹏 ;

戴熹 ;

唐洲 .

中国专利 :CN119059574A ,2024-12-03

[8]

一种内部疏松多孔的四元前驱体的制备方法 [P].

朱用 ;

李加闯 ;

褚风辉 ;

李佰康 ;

王梁梁 ;

贺建军 .

中国专利 :CN113582245A ,2021-11-02

[9]

一种羟基氧化钴的制备方法 [P].

周汉章 ;

唐红辉 ;

刘更好 ;

廖折军 .

中国专利 :CN102569785A ,2012-07-11

[10]

球形羟基氧化钴的制备方法 [P].

方谋 ;

王要武 ;

何向明 ;

王莉 ;

尚玉明 ;

高剑 ;

郭建伟 ;

毛宗强 .

中国专利 :CN103482710B ,2014-01-01

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