一种高开关消光比的M-Z型铌酸锂强度调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811430849.7

申请日：

2018-11-28

公开(公告)号：

CN109298550A

公开(公告)日：

2019-02-01

发明(设计)人：

华勇富松刘隐

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

G02F103

IPC分类号：

G02F1035 G02F121

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

王海军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-01	公开	公开
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/03 申请日:20181128
2023-01-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02F 1/03 申请公布日:20190201

共 50 条

[1]

一种具有高偏振消光比的薄膜铌酸锂Y分支调制器 [P].

陈开鑫 ;

王梦柯 .

中国专利 :CN118192003A ,2024-06-14

[2]

一种高偏振消光比的铌酸锂薄膜相位调制器设计方法 [P].

李慧 ;

李跃杨 ;

田牧原 ;

周姣 ;

邓超 ;

梁爽 ;

苏腾龙 .

中国专利 :CN120762227A ,2025-10-10

[3]

一种高消光比电光强度调制器 [P].

杨作运 ;

曾维胜 .

中国专利 :CN111308740A ,2020-06-19

[4]

实现开关消光比提高的电光强度调制器及其应用 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

戴双兴 ;

李明轩 ;

赵奕儒 .

中国专利 :CN111458948A ,2020-07-28

[5]

一种高消光比定向耦合器及其薄膜铌酸锂声光调制器 [P].

周立兵 ;

瞿江 ;

江文兵 .

中国专利 :CN119045224A ,2024-11-29

[6]

一种铌酸锂光调制器 [P].

朱忻 ;

王子昊 ;

沈雷 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN203658692U ,2014-06-18

[7]

一种铌酸锂强度调制器及光收发模块 [P].

林东晖 ;

彭方 ;

马孙明 ;

毛炯 ;

陈仪翔 ;

窦仁勤 ;

王小飞 ;

张庆礼 .

中国专利 :CN114879387B ,2025-03-25

[8]

一种铌酸锂强度调制器及光收发模块 [P].

林东晖 ;

彭方 ;

马孙明 ;

毛炯 ;

陈仪翔 ;

窦仁勤 ;

王小飞 ;

张庆礼 .

中国专利 :CN114879387A ,2022-08-09

[9]

一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器 [P].

李萍 ;

范宝泉 .

中国专利 :CN206497266U ,2017-09-15

[10]

一种薄膜铌酸锂调制器 [P].

国伟华 ;

唐永前 ;

陆巧银 .

中国专利 :CN115079450A ,2022-09-20

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