一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201621155126.7
申请日
2016-10-31
公开(公告)号
CN206497266U
公开(公告)日
2017-09-15
发明(设计)人
李萍 范宝泉
申请人
申请人地址
300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016室)
IPC主分类号
G02F1035
IPC分类号
G02F103
代理机构
天津市三利专利商标代理有限公司 12107
代理人
张义
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法 [P]. 
李萍 ;
范宝泉 .
中国专利 :CN108020939A ,2018-05-11
[2]
铌酸锂光调制器 [P]. 
卢伯崇 ;
杨文宗 .
中国专利 :CN2935198Y ,2007-08-15
[3]
一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25
[4]
一种铌酸锂光调制器 [P]. 
朱忻 ;
王子昊 ;
沈雷 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN203658692U ,2014-06-18
[5]
一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15
[6]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN115079450A ,2022-09-20
[7]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN114280820A ,2022-04-05
[8]
一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 ;
史云玲 .
中国专利 :CN206133134U ,2017-04-26
[9]
一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P]. 
尹志军 ;
叶志霖 ;
崔国新 ;
许志城 .
中国专利 :CN113900284A ,2022-01-07
[10]
一种基于狭缝型铌酸锂薄膜调制器 [P]. 
邵振华 ;
曹军 ;
陈宏志 ;
黄垚 .
中国专利 :CN118295158A ,2024-07-05