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一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201621155126.7
申请日
:
2016-10-31
公开(公告)号
:
CN206497266U
公开(公告)日
:
2017-09-15
发明(设计)人
:
李萍
范宝泉
申请人
:
申请人地址
:
300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016室)
IPC主分类号
:
G02F1035
IPC分类号
:
G02F103
代理机构
:
天津市三利专利商标代理有限公司 12107
代理人
:
张义
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-09-15
授权
授权
共 50 条
[1]
一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法
[P].
李萍
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0
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李萍
;
范宝泉
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范宝泉
.
中国专利
:CN108020939A
,2018-05-11
[2]
铌酸锂光调制器
[P].
卢伯崇
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卢伯崇
;
杨文宗
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杨文宗
.
中国专利
:CN2935198Y
,2007-08-15
[3]
一种铌酸锂薄膜电光调制器
[P].
李萍
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李萍
.
中国专利
:CN112835214A
,2021-05-25
[4]
一种铌酸锂光调制器
[P].
朱忻
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朱忻
;
王子昊
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王子昊
;
沈雷
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沈雷
;
其他发明人请求不公开姓名
论文数:
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0
其他发明人请求不公开姓名
.
中国专利
:CN203658692U
,2014-06-18
[5]
一种铌酸锂薄膜电光调制器
[P].
李萍
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0
李萍
.
中国专利
:CN211506095U
,2020-09-15
[6]
一种薄膜铌酸锂调制器
[P].
国伟华
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国伟华
;
唐永前
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唐永前
;
陆巧银
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陆巧银
.
中国专利
:CN115079450A
,2022-09-20
[7]
一种薄膜铌酸锂调制器
[P].
国伟华
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国伟华
;
唐永前
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唐永前
;
陆巧银
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陆巧银
.
中国专利
:CN114280820A
,2022-04-05
[8]
一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器
[P].
李萍
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李萍
;
史云玲
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史云玲
.
中国专利
:CN206133134U
,2017-04-26
[9]
一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法
[P].
尹志军
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尹志军
;
叶志霖
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叶志霖
;
崔国新
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崔国新
;
许志城
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许志城
.
中国专利
:CN113900284A
,2022-01-07
[10]
一种基于狭缝型铌酸锂薄膜调制器
[P].
邵振华
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机构:
上海航天科工电器研究院有限公司
上海航天科工电器研究院有限公司
邵振华
;
曹军
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机构:
上海航天科工电器研究院有限公司
上海航天科工电器研究院有限公司
曹军
;
陈宏志
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机构:
上海航天科工电器研究院有限公司
上海航天科工电器研究院有限公司
陈宏志
;
黄垚
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机构:
上海航天科工电器研究院有限公司
上海航天科工电器研究院有限公司
黄垚
.
中国专利
:CN118295158A
,2024-07-05
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