一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111250081.7
申请日
2021-10-26
公开(公告)号
CN113900284A
公开(公告)日
2022-01-07
发明(设计)人
尹志军 叶志霖 崔国新 许志城
申请人
申请人地址
210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦690室
IPC主分类号
G02F1035
IPC分类号
G02F103 G02F121 G02F1225 G02B6136 G03F700
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
逯长明;许伟群
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25
[2]
一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15
[3]
基于薄膜铌酸锂的电光调制器及其制备方法 [P]. 
万青 ;
赵蕊 ;
翁海中 .
中国专利 :CN119376125A ,2025-01-28
[4]
基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器及其制备方法 [P]. 
李岩 ;
付振东 ;
康佳 .
中国专利 :CN107065232A ,2017-08-18
[5]
一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P]. 
张岚 ;
潘振辉 ;
许明 .
中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07
[6]
一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN112835215B ,2021-05-25
[7]
一种薄膜铌酸锂双层电极电光调制器及其制备方法 [P]. 
胡挺 ;
刘佳旭 ;
钟其泽 ;
赵兴岩 ;
郑少南 ;
董渊 ;
邱阳 .
中国专利 :CN120469100A ,2025-08-12
[8]
硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列 [P]. 
邹卫文 ;
徐绍夫 ;
王静 ;
陈建平 .
中国专利 :CN110187526A ,2019-08-30
[9]
一种基于狭缝型硅-铌酸锂薄膜的电光调制器 [P]. 
万厚钊 ;
张俊伟 ;
王浩 ;
冯辰胤 ;
桃李 ;
张军 .
中国专利 :CN121069653A ,2025-12-05
[10]
一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P]. 
陈玉萍 ;
吴江威 ;
刘一岸 ;
陈险峰 .
中国专利 :CN113359330A ,2021-09-07