一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110698922.4

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN113359330A

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

陈玉萍吴江威刘一岸陈险峰

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

G02F103

IPC分类号：

G02F1035

代理机构：

上海旭诚知识产权代理有限公司 31220

代理人：

郑立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/03 申请日:20210623
2021-09-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P].

尹志军 ;

叶志霖 ;

崔国新 ;

许志城 .

中国专利 :CN113900284A ,2022-01-07

[2]

一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

陈玉萍 ;

刘一岸 ;

陈险峰 ;

颜雄硕 .

中国专利 :CN114609805A ,2022-06-10

[3]

一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

陈玉萍 ;

刘一岸 ;

陈险峰 ;

颜雄硕 .

中国专利 :CN114609805B ,2025-04-18

[4]

一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 ;

史云玲 .

中国专利 :CN206133134U ,2017-04-26

[5]

一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 ;

史云玲 .

中国专利 :CN107957631A ,2018-04-24

[6]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25

[7]

一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P].

李萍 .

中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15

[8]

一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器 [P].

李海鸥 ;

黄一诚 ;

首美花 ;

廖清 ;

刘兴鹏 ;

陈赞辉 ;

张法碧 ;

孙堂友 ;

陈永和 ;

李琦 ;

王阳培华 ;

肖功利 ;

傅涛 ;

邓兴 ;

邓艳容 .

中国专利 :CN119644616A ,2025-03-18

[9]

一种薄膜铌酸锂双层电极电光调制器及其制备方法 [P].

胡挺 ;

刘佳旭 ;

钟其泽 ;

赵兴岩 ;

郑少南 ;

董渊 ;

邱阳 .

中国专利 :CN120469100A ,2025-08-12

[10]

一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

梁华湛 ;

林树青 ;

张仙 ;

胡胜群 ;

吴家威 ;

余思远 .

中国专利 :CN120686492A ,2025-09-23

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