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一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511109811.X
申请日：
2025-08-08
公开(公告)号：
CN120686492A
公开(公告)日：
2025-09-23
发明(设计)人：
梁华湛 林树青 张仙 胡胜群 吴家威 余思远
申请人：
广州光电存算芯片融合创新中心
申请人地址：
510530 广东省广州市黄埔区香雪八路98号F栋19层1901房
IPC主分类号：
G02F1/035
IPC分类号：
G02F1/03
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
温玲
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/035申请日:20250808
2025-09-23 公开 公开
共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘柳 ;
陈耿鑫 ;
阮子良 ;
薛煜 .
中国专利 :CN112764246B ,2021-05-07
[2]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06
[3]
薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法 [P]. 
薛海韵 ;
张宇强 .
中国专利 :CN119002103A ,2024-11-22
[4]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P]. 
胡紫阳 ;
陈力锋 ;
蔡文杰 .
中国专利 :CN113325612A ,2021-08-31
[5]
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
陈玉萍 ;
刘一岸 ;
陈险峰 ;
颜雄硕 .
中国专利 :CN114609805B ,2025-04-18
[6]
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
陈玉萍 ;
刘一岸 ;
陈险峰 ;
颜雄硕 .
中国专利 :CN114609805A ,2022-06-10
[7]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17
[8]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27
[9]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796A ,2025-04-11
[10]
一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P]. 
张岚 ;
潘振辉 ;
许明 .
中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07
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