一种薄膜铌酸锂电光调制器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510061535.8
申请日
2025-01-15
公开(公告)号
CN119805796A
公开(公告)日
2025-04-11
发明(设计)人
余华 刘玉山 陈冠宇 李春德
申请人
重庆大学
申请人地址
400030 重庆市沙坪坝区正街174号
IPC主分类号
G02F1/035
IPC分类号
G02F1/03 G02B6/122 G02B6/12
代理机构
北京高沃律师事务所 11569
代理人
王晶
法律状态
授权
国省代码
重庆市 市辖区
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共 50 条
[1]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17
[2]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27
[3]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06
[4]
薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法 [P]. 
薛海韵 ;
张宇强 .
中国专利 :CN119002103A ,2024-11-22
[5]
一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P]. 
张岚 ;
潘振辉 ;
许明 .
中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07
[6]
一种多层薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
张维佳 ;
罗雪婷 ;
刘婷 ;
李佳琦 ;
张文轩 ;
刘体辉 .
中国专利 :CN220569033U ,2024-03-08
[7]
一种铌酸锂电光调制器 [P]. 
周建伟 ;
夏君磊 ;
郑国康 ;
刘瑞丹 ;
乔建坤 ;
宁智超 ;
徐玉亮 .
中国专利 :CN108681111B ,2018-10-19
[8]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘柳 ;
陈耿鑫 ;
阮子良 ;
薛煜 .
中国专利 :CN112764246B ,2021-05-07
[9]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P]. 
胡紫阳 ;
陈力锋 ;
蔡文杰 .
中国专利 :CN113325612A ,2021-08-31
[10]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
梁华湛 ;
林树青 ;
张仙 ;
胡胜群 ;
吴家威 ;
余思远 .
中国专利 :CN120686492A ,2025-09-23