半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711205964.X

申请日：

2017-11-27

公开(公告)号：

CN109841524B

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20171127
2021-12-14	授权	授权
2019-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952730B ,2015-09-30

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴永玉 ;

高大为 ;

苏婕 .

中国专利 :CN120035122A ,2025-05-23

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN110718582A ,2020-01-21

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

杨丰诚 ;

林仲德 .

中国专利 :CN114883268A ,2022-08-09

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵君红 .

中国专利 :CN114141873A ,2022-03-04

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张城龙 .

中国专利 :CN108122824A ,2018-06-05

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 ;

龚春蕾 .

中国专利 :CN107039275B ,2017-08-11

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN113394288A ,2021-09-14

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

朱一明 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695353A ,2022-07-01

← 1 2 3 4 5 →