半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510496595.2

申请日：

2025-04-21

公开(公告)号：

CN120035122A

公开(公告)日：

2025-05-23

发明(设计)人：

吴永玉高大为苏婕

申请人：

浙江创芯集成电路有限公司

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层

IPC主分类号：

H10B10/00

IPC分类号：

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

潘彦君

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	公开	公开
2025-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 10/00申请日:20250421

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952730B ,2015-09-30

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109841524B ,2019-06-04

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

杨丰诚 ;

林仲德 .

中国专利 :CN114883268A ,2022-08-09

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵君红 .

中国专利 :CN114141873A ,2022-03-04

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

张城龙 .

中国专利 :CN108122824A ,2018-06-05

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 ;

龚春蕾 .

中国专利 :CN107039275B ,2017-08-11

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN113394288A ,2021-09-14

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

朱一明 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695353A ,2022-07-01

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王伟 ;

苏波 ;

胡友存 ;

金吉松 .

中国专利 :CN112951719B ,2024-07-19

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