表面平坦化方法及半导体多层互连结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810281915.2

申请日：

2018-04-02

公开(公告)号：

CN108682650A

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

闵源李大鹏蒋阳波李道光刘慧超

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23538

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

邓晔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-19	公开	公开
2019-06-14	授权	授权
2018-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180402

共 50 条

[1]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

德岭好刚 .

中国专利 :CN1664997A ,2005-09-07

[2]

半导体互连结构 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN203774289U ,2014-08-13

[3]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

松本明 ;

井口学 ;

小室雅宏 ;

深濑匡 .

中国专利 :CN1521843A ,2004-08-18

[4]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

渡边健一 ;

中村友二 ;

大冢敏志 .

中国专利 :CN101582410B ,2009-11-18

[5]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

渡边健一 ;

中村友二 ;

大冢敏志 .

中国专利 :CN101207108A ,2008-06-25

[6]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

山田义明 .

中国专利 :CN1204154A ,1999-01-06

[7]

具有多层互连结构的半导体器件 [P].

渡边健一 ;

中村友二 ;

大冢敏志 .

中国专利 :CN102082139B ,2011-06-01

[8]

半导体互连结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208738213U ,2019-04-12

[9]

半导体互连结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208706642U ,2019-04-05

[10]

半导体互连结构 [P].

吴秉桓 .

中国专利 :CN209045544U ,2019-06-28

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