具有多层互连结构的半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN98101343.0
申请日
1998-04-08
公开(公告)号
CN1204154A
公开(公告)日
1999-01-06
发明(设计)人
山田义明
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2352
IPC分类号
H01L21768
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
松本明 ;
井口学 ;
小室雅宏 ;
深濑匡 .
中国专利 :CN1521843A ,2004-08-18
[2]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
渡边健一 ;
中村友二 ;
大冢敏志 .
中国专利 :CN101582410B ,2009-11-18
[3]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
渡边健一 ;
中村友二 ;
大冢敏志 .
中国专利 :CN101207108A ,2008-06-25
[4]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
德岭好刚 .
中国专利 :CN1664997A ,2005-09-07
[5]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
渡边健一 ;
中村友二 ;
大冢敏志 .
中国专利 :CN102082139B ,2011-06-01
[6]
具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法 [P]. 
高山稔雄 ;
生川邦幸 ;
水谷宽 .
中国专利 :CN1510748A ,2004-07-07
[7]
具有多层互连结构的半导体器件以及制造该器件的方法 [P]. 
井口学 ;
松本明 ;
小室雅弘 .
中国专利 :CN1329983C ,2004-09-29
[8]
半导体器件中的多层互连结构及其形成方法 [P]. 
横山孝司 ;
山田义明 ;
岸本光司 .
中国专利 :CN1198015A ,1998-11-04
[9]
具有多层互连的半导体器件 [P]. 
松原义久 .
中国专利 :CN1893068A ,2007-01-10
[10]
具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法和设计方法 [P]. 
高山稔雄 ;
伊藤哲也 .
中国专利 :CN100411164C ,2005-11-09