具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200310122396.9
申请日
2003-12-19
公开(公告)号
CN1510748A
公开(公告)日
2004-07-07
发明(设计)人
高山稔雄 生川邦幸 水谷宽
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L23522
IPC分类号
H01L21768
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
李德山
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
渡边健一 ;
中村友二 ;
大冢敏志 .
中国专利 :CN101582410B ,2009-11-18
[2]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
渡边健一 ;
中村友二 ;
大冢敏志 .
中国专利 :CN101207108A ,2008-06-25
[3]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
德岭好刚 .
中国专利 :CN1664997A ,2005-09-07
[4]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
渡边健一 ;
中村友二 ;
大冢敏志 .
中国专利 :CN102082139B ,2011-06-01
[5]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
松本明 ;
井口学 ;
小室雅宏 ;
深濑匡 .
中国专利 :CN1521843A ,2004-08-18
[6]
具有多层互连结构的半导体器件 [P]. 
山田义明 .
中国专利 :CN1204154A ,1999-01-06
[7]
具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法和设计方法 [P]. 
高山稔雄 ;
伊藤哲也 .
中国专利 :CN100411164C ,2005-11-09
[8]
具有多层互连结构的半导体器件以及制造该器件的方法 [P]. 
井口学 ;
松本明 ;
小室雅弘 .
中国专利 :CN1329983C ,2004-09-29
[9]
绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法 [P]. 
小林靖志 ;
中田义弘 ;
尾崎史朗 .
中国专利 :CN101257003A ,2008-09-03
[10]
具有互连结构的半导体器件及其制造方法 [P]. 
杨智超 .
中国专利 :CN101174608A ,2008-05-07