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具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200310122396.9
申请日
:
2003-12-19
公开(公告)号
:
CN1510748A
公开(公告)日
:
2004-07-07
发明(设计)人
:
高山稔雄
生川邦幸
水谷宽
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川
IPC主分类号
:
H01L23522
IPC分类号
:
H01L21768
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
:
李德山
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2004-09-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-07-07
公开
公开
2009-04-22
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
共 50 条
[1]
具有多层互连结构的半导体器件
[P].
渡边健一
论文数:
0
引用数:
0
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0
渡边健一
;
中村友二
论文数:
0
引用数:
0
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0
中村友二
;
大冢敏志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大冢敏志
.
中国专利
:CN101582410B
,2009-11-18
[2]
具有多层互连结构的半导体器件
[P].
渡边健一
论文数:
0
引用数:
0
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0
渡边健一
;
中村友二
论文数:
0
引用数:
0
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0
中村友二
;
大冢敏志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大冢敏志
.
中国专利
:CN101207108A
,2008-06-25
[3]
具有多层互连结构的半导体器件
[P].
德岭好刚
论文数:
0
引用数:
0
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0
德岭好刚
.
中国专利
:CN1664997A
,2005-09-07
[4]
具有多层互连结构的半导体器件
[P].
渡边健一
论文数:
0
引用数:
0
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0
渡边健一
;
中村友二
论文数:
0
引用数:
0
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0
中村友二
;
大冢敏志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大冢敏志
.
中国专利
:CN102082139B
,2011-06-01
[5]
具有多层互连结构的半导体器件
[P].
松本明
论文数:
0
引用数:
0
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0
松本明
;
井口学
论文数:
0
引用数:
0
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井口学
;
小室雅宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
小室雅宏
;
深濑匡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
深濑匡
.
中国专利
:CN1521843A
,2004-08-18
[6]
具有多层互连结构的半导体器件
[P].
山田义明
论文数:
0
引用数:
0
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0
山田义明
.
中国专利
:CN1204154A
,1999-01-06
[7]
具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法和设计方法
[P].
高山稔雄
论文数:
0
引用数:
0
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0
高山稔雄
;
伊藤哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
伊藤哲也
.
中国专利
:CN100411164C
,2005-11-09
[8]
具有多层互连结构的半导体器件以及制造该器件的方法
[P].
井口学
论文数:
0
引用数:
0
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0
井口学
;
松本明
论文数:
0
引用数:
0
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0
松本明
;
小室雅弘
论文数:
0
引用数:
0
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0
小室雅弘
.
中国专利
:CN1329983C
,2004-09-29
[9]
绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法
[P].
小林靖志
论文数:
0
引用数:
0
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0
小林靖志
;
中田义弘
论文数:
0
引用数:
0
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0
中田义弘
;
尾崎史朗
论文数:
0
引用数:
0
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0
尾崎史朗
.
中国专利
:CN101257003A
,2008-09-03
[10]
具有互连结构的半导体器件及其制造方法
[P].
杨智超
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨智超
.
中国专利
:CN101174608A
,2008-05-07
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