具有互连结构的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710184834.2

申请日：

2007-10-30

公开(公告)号：

CN101174608A

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

杨智超

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183764743 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2007101848342 公开日:20080507
2008-05-07	公开	公开
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互连结构、半导体器件及其制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN105304637B ,2016-02-03

[2]

半导体器件的互连结构及其制造方法 [P].

安田诚 .

中国专利 :CN1139987C ,2000-06-28

[3]

半导体器件的互连结构及其制造方法 [P].

游佳达 ;

李凯璿 ;

陈燕铭 ;

徐志安 ;

杨世海 .

中国专利 :CN109427655B ,2019-03-05

[4]

半导体互连结构及其制造方法 [P].

甘东 .

中国专利 :CN114927464A ,2022-08-19

[5]

具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法 [P].

高山稔雄 ;

生川邦幸 ;

水谷宽 .

中国专利 :CN1510748A ,2004-07-07

[6]

用于半导体器件的互连结构 [P].

王柏荃 ;

陈冠亘 ;

洪嘉阳 ;

潘升良 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN114334804A ,2022-04-12

[7]

互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 [P].

林瑀宏 ;

刘继文 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106531805A ,2017-03-22

[8]

半导体器件及其局部互连结构的制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102376630B ,2012-03-14

[9]

包括互连结构的半导体器件及其制造方法 [P].

崔宰铭 ;

金尊洙 ;

吴重锡 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN120933262A ,2025-11-11

[10]

用于半导体器件的互连结构及其制造方法和半导体器件 [P].

姜旼声 .

中国专利 :CN103972158A ,2014-08-06

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