半导体器件的互连结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711290392.X

申请日：

2017-12-08

公开(公告)号：

CN109427655B

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

游佳达李凯璿陈燕铭徐志安杨世海

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23538

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	公开	公开
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20171208
2020-12-29	授权	授权

共 50 条

[1]

互连结构、半导体器件及其制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN105304637B ,2016-02-03

[2]

半导体器件的互连结构及其制造方法 [P].

安田诚 .

中国专利 :CN1139987C ,2000-06-28

[3]

互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件 [P].

林瑀宏 ;

刘继文 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106531805A ,2017-03-22

[4]

半导体器件及其局部互连结构的制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102376630B ,2012-03-14

[5]

具有互连结构的半导体器件及其制造方法 [P].

杨智超 .

中国专利 :CN101174608A ,2008-05-07

[6]

包括互连结构的半导体器件及其制造方法 [P].

崔宰铭 ;

金尊洙 ;

吴重锡 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN120933262A ,2025-11-11

[7]

用于半导体器件的互连结构及其制造方法和半导体器件 [P].

姜旼声 .

中国专利 :CN103972158A ,2014-08-06

[8]

半导体器件、半导体结构及互连结构的制造方法 [P].

杨军 .

中国专利 :CN112530856A ,2021-03-19

[9]

互连结构的制造方法及半导体器件 [P].

祝君龙 .

中国专利 :CN119864323A ,2025-04-22

[10]

互连结构的制造方法及半导体器件 [P].

祝君龙 .

中国专利 :CN119864323B ,2025-07-25

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