互连结构的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510354467.4

申请日：

2025-03-25

公开(公告)号：

CN119864323A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

祝君龙

申请人：

晶芯成（北京）科技有限公司合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/48

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

杨思雨

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250325
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

互连结构的制造方法及半导体器件 [P].

祝君龙 .

中国专利 :CN119864323B ,2025-07-25

[2]

半导体器件、半导体结构及互连结构的制造方法 [P].

杨军 .

中国专利 :CN112530856A ,2021-03-19

[3]

半导体器件及其局部互连结构的制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102376630B ,2012-03-14

[4]

互连结构及半导体器件 [P].

吴双双 .

中国专利 :CN208655631U ,2019-03-26

[5]

互连结构及半导体器件 [P].

高成 .

中国专利 :CN209561401U ,2019-10-29

[6]

互连结构、半导体器件及其制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN105304637B ,2016-02-03

[7]

半导体器件的互连结构及其制造方法 [P].

安田诚 .

中国专利 :CN1139987C ,2000-06-28

[8]

半导体器件的互连结构及其制造方法 [P].

游佳达 ;

李凯璿 ;

陈燕铭 ;

徐志安 ;

杨世海 .

中国专利 :CN109427655B ,2019-03-05

[9]

用于半导体器件的互连结构 [P].

郭涵馨 ;

柯忠祁 ;

杨能杰 ;

黄富明 ;

蔡及铭 ;

陈亮光 .

中国专利 :CN104752338B ,2015-07-01

[10]

用于半导体器件的互连结构 [P].

王柏荃 ;

陈冠亘 ;

洪嘉阳 ;

潘升良 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN114334804A ,2022-04-12

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