半导体器件及该半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810590251.8

申请日：

2018-06-08

公开(公告)号：

CN109962109A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

千大焕

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;赵赫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180608
2019-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

冈本康弘 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13

[2]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

杨世怜 ;

李全一 ;

李蕙兰 ;

崔贤默 .

韩国专利 :CN118843319A ,2024-10-25

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金成玟 .

韩国专利 :CN118693043A ,2024-09-24

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

宋寅铉 ;

金钟守 ;

姜明吉 ;

权五成 ;

梁正吉 ;

吕寅虎 ;

郑银国 .

韩国专利 :CN120435047A ,2025-08-05

[5]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

李珍雨 ;

朴世韩 ;

金秀泰 ;

钱钰博 .

韩国专利 :CN120834126A ,2025-10-24

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[7]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李昇映 ;

白尚训 ;

都桢湖 .

中国专利 :CN106057774B ,2016-10-26

[8]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

蔡熙载 ;

朴台镇 ;

李泫珍 ;

李昊相 ;

崔润 .

韩国专利 :CN118540940A ,2024-08-23

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

丁秀真 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴永焕 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

韩国专利 :CN112993028B ,2024-03-15

[10]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李到显 ;

李宰求 ;

权永振 ;

朴泳雨 ;

李载德 .

中国专利 :CN105244351B ,2016-01-13

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