半导体器件以及制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610207159.X

申请日：

2016-04-05

公开(公告)号：

CN106057774B

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

李昇映白尚训都桢湖

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

韩明星;尹淑梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	授权	授权
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20160405
2016-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

蔡熙载 ;

朴台镇 ;

李泫珍 ;

李昊相 ;

崔润 .

韩国专利 :CN118540940A ,2024-08-23

[2]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李到显 ;

李宰求 ;

权永振 ;

朴泳雨 ;

李载德 .

中国专利 :CN105244351B ,2016-01-13

[3]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡勋 ;

权兑昱 ;

郑秀珍 ;

金永弼 ;

李炳赞 ;

具本荣 .

中国专利 :CN104103687A ,2014-10-15

[4]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李善英 ;

刘贤琯 ;

金孝珍 .

韩国专利 :CN119584623A ,2025-03-07

[5]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

李相炫 ;

李正允 ;

朴胜周 ;

成金重 ;

吴怜默 ;

洪承秀 .

中国专利 :CN108074975A ,2018-05-25

[6]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

李珍雨 ;

金秀泰 ;

钱钰博 .

韩国专利 :CN120835606A ,2025-10-24

[7]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

洪文柱 .

韩国专利 :CN121057200A ,2025-12-02

[8]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

朴商五 ;

李东俊 ;

金根楠 ;

梁承薰 .

韩国专利 :CN114068552B ,2025-07-15

[9]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

朴商五 ;

李东俊 ;

金根楠 ;

梁承薰 .

中国专利 :CN114068552A ,2022-02-18

[10]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

全振桓 ;

金大原 ;

金泰均 ;

朴靖雨 ;

安星焕 ;

郑璲钰 ;

崔东求 .

中国专利 :CN115497942A ,2022-12-20

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