半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711120568.7

申请日：

2017-11-14

公开(公告)号：

CN108074975A

公开(公告)日：

2018-05-25

发明(设计)人：

李相炫李正允朴胜周成金重吴怜默洪承秀

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波;弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-25	公开	公开
2019-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20171114

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李善英 ;

刘贤琯 ;

金孝珍 .

韩国专利 :CN119584623A ,2025-03-07

[2]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

李珍雨 ;

金秀泰 ;

钱钰博 .

韩国专利 :CN120835606A ,2025-10-24

[3]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李昇映 ;

白尚训 ;

都桢湖 .

中国专利 :CN106057774B ,2016-10-26

[4]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

蔡熙载 ;

朴台镇 ;

李泫珍 ;

李昊相 ;

崔润 .

韩国专利 :CN118540940A ,2024-08-23

[5]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李到显 ;

李宰求 ;

权永振 ;

朴泳雨 ;

李载德 .

中国专利 :CN105244351B ,2016-01-13

[6]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡勋 ;

权兑昱 ;

郑秀珍 ;

金永弼 ;

李炳赞 ;

具本荣 .

中国专利 :CN104103687A ,2014-10-15

[7]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

河泰政 .

韩国专利 :CN118057936A ,2024-05-21

[8]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

宋政桓 .

韩国专利 :CN118057923A ,2024-05-21

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

吴永玉 ;

何学缅 ;

陈建奇 ;

张静 .

中国专利 :CN102024705A ,2011-04-20

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