半导体器件以及制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110749363.5

申请日：

2021-07-02

公开(公告)号：

CN114068552B

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

朴商五李东俊金根楠梁承薰

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳永娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

朴商五 ;

李东俊 ;

金根楠 ;

梁承薰 .

中国专利 :CN114068552A ,2022-02-18

[2]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

洪文柱 .

韩国专利 :CN121057200A ,2025-12-02

[3]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

全振桓 ;

金大原 ;

金泰均 ;

朴靖雨 ;

安星焕 ;

郑璲钰 ;

崔东求 .

中国专利 :CN115497942A ,2022-12-20

[4]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李昇映 ;

白尚训 ;

都桢湖 .

中国专利 :CN106057774B ,2016-10-26

[5]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

宋寅铉 ;

梁正吉 ;

李商文 ;

姜明吉 ;

金钟守 ;

朴范琎 .

韩国专利 :CN118693082A ,2024-09-24

[6]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

蔡熙载 ;

朴台镇 ;

李泫珍 ;

李昊相 ;

崔润 .

韩国专利 :CN118540940A ,2024-08-23

[7]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李禹太 .

韩国专利 :CN118057937A ,2024-05-21

[8]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

柳太贤 ;

黄东勋 ;

姜明一 ;

金孝珍 ;

文炳镐 ;

李南玹 .

韩国专利 :CN119230595A ,2024-12-31

[9]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡源 ;

具奉珍 ;

金硕壎 ;

朴志镐 ;

柳相赫 ;

河龙湖 ;

穆萨拉特·哈桑 .

韩国专利 :CN119028905A ,2024-11-26

[10]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李到显 ;

李宰求 ;

权永振 ;

朴泳雨 ;

李载德 .

中国专利 :CN105244351B ,2016-01-13

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