半导体结构、晶体管结构及半导体处理设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820784453.1

申请日：

2018-05-24

公开(公告)号：

CN208521933U

公开(公告)日：

2019-02-19

发明(设计)人：

刘铁

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2906 H01L21265

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备 [P].

刘铁 .

中国专利 :CN110534516A ,2019-12-03

[2]

晶体管、半导体装置及半导体结构 [P].

郑兆钦 ;

黄瑞乾 ;

洪以则 ;

王世豪 ;

汪涵 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN217933803U ,2022-11-29

[3]

半导体结构及晶体管器件 [P].

罗启仁 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN217444377U ,2022-09-16

[4]

浮体晶体管结构、半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

倩·D·唐 ;

文卡特桑·阿南塔 .

中国专利 :CN101410986A ,2009-04-15

[5]

晶体管结构、半导体结构及制作晶体管结构的方法 [P].

蔡武卫 ;

陈海清 .

中国专利 :CN115312583A ,2022-11-08

[6]

半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管 [P].

冯亚 ;

郭廷晃 .

中国专利 :CN118969819A ,2024-11-15

[7]

半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管 [P].

冯亚 ;

郭廷晃 .

中国专利 :CN118969819B ,2025-01-10

[8]

半导体结构、晶体管器件、及形成半导体结构的方法 [P].

苏柏智 ;

柳瑞兴 ;

王培伦 ;

李佳叡 ;

周君冠 .

中国专利 :CN113629138A ,2021-11-09

[9]

半导体晶体管外延结构、其制备方法及半导体晶体管 [P].

李东昇 ;

贾利芳 ;

肖金平 ;

逯永建 .

中国专利 :CN113284947A ,2021-08-20

[10]

半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 .

中国专利 :CN112909073A ,2021-06-04

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