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一种MXene包覆硅的复合电极材料及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810444215.0
申请日：
2018-05-10
公开(公告)号：
CN108682812A
公开(公告)日：
2018-10-19
发明(设计)人：
冯金奎 安永灵
申请人：
申请人地址：
250061 山东省济南市历下区经十路17923号
IPC主分类号：
H01M436
IPC分类号：
H01M438 H01M462 H01M100525
代理机构：
济南圣达知识产权代理有限公司 37221
代理人：
郑平
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-10-19 公开 公开
2018-11-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20180510
2022-09-09 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M 4/36 申请公布日:20181019
共 50 条
[1]
一种Mxene包覆多孔硅的复合电极材料及其制备方法 [P]. 
冯金奎 ;
安永灵 .
中国专利 :CN108183212B ,2018-06-19
[2]
一种Mxene包覆的复合电极材料及其制备方法 [P]. 
冯金奎 ;
安永灵 .
中国专利 :CN107706372B ,2018-02-16
[3]
一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法 [P]. 
李红东 ;
孙小晨 ;
刘钧松 ;
高楠 ;
王启亮 ;
成绍恒 .
中国专利 :CN110867565B ,2021-01-19
[4]
一种网状包覆结构的复合电极材料及其制备方法与应用 [P]. 
王晓红 ;
胡丙萌 .
中国专利 :CN110212190A ,2019-09-06
[5]
一种MXene基复合柔性电极材料及其制备方法 [P]. 
罗磊 ;
卢道坤 ;
杨驻华 ;
朱超杰 ;
沙莎 ;
张如全 ;
周阳 .
中国专利 :CN115692641A ,2023-02-03
[6]
一种MXene基复合柔性电极材料及其制备方法 [P]. 
罗磊 ;
卢道坤 ;
杨驻华 ;
朱超杰 ;
沙莎 ;
张如全 ;
周阳 .
中国专利 :CN115692641B ,2024-08-02
[7]
一种纳米硅/MXene复合材料及其制备方法 [P]. 
张晓明 ;
周辉 ;
冯帅 ;
李传波 .
中国专利 :CN115084476A ,2022-09-20
[8]
交联碳包覆介孔硅颗粒的电极材料及其制备方法 [P]. 
陈健 ;
孙继飞 ;
史剑 ;
班伯源 ;
李京伟 .
中国专利 :CN110289402B ,2019-09-27
[9]
一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法 [P]. 
席风硕 ;
牛研捷 ;
马文会 ;
李绍元 ;
陆继军 ;
魏奎先 ;
陈正杰 ;
万小涵 ;
刘昊博 .
中国专利 :CN118183749B ,2025-11-14
[10]
一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法 [P]. 
牛研捷 ;
席风硕 ;
马文会 ;
李绍元 ;
陆继军 ;
魏奎先 ;
陈正杰 ;
万小涵 ;
刘昊博 .
中国专利 :CN118183749A ,2024-06-14
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