一种缺陷WO3光阳极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111383394.X

申请日：

2021-11-22

公开(公告)号：

CN114134515A

公开(公告)日：

2022-03-04

发明(设计)人：

施伟东陈必义李丹陈雪李琪杨志东

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

C25B104

IPC分类号：

C25B11054 C25B11087 C03C1734 C03C1725

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-04	公开	公开
2022-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 1/04 申请日:20211122

共 50 条

[1]

一种缺陷WO<sub>3</sub>光阳极的制备方法 [P].

施伟东 ;

陈必义 ;

李丹 ;

陈雪 ;

李琪 ;

杨志东 .

中国专利 :CN114134515B ,2024-07-12

[2]

一种多孔的WO3光电极的制备方法 [P].

张学亮 ;

蒋迪 ;

刘仪柯 ;

罗大军 ;

李杨 .

中国专利 :CN111058057A ,2020-04-24

[3]

一种含缺陷的WO3光电极的制备方法 [P].

张学亮 ;

蒋迪 ;

刘仪柯 ;

李杨 ;

罗大军 .

中国专利 :CN110965073A ,2020-04-07

[4]

一种WO3纳米片阵列的制备方法 [P].

刘勇平 ;

杨之书 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

林剑飞 ;

张梦莹 ;

米喜红 .

中国专利 :CN107117831A ,2017-09-01

[5]

一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

陈丹杨 ;

刘勇平 ;

林剑飞 ;

庄杨 ;

王子良 .

中国专利 :CN113066670A ,2021-07-02

[6]

制备具有高活性光电催化分解水性能的WO3纳米刺/CoPi复合光阳极的方法 [P].

金涛 ;

刁鹏 ;

何卫平 ;

王浩伟 .

中国专利 :CN106238081A ,2016-12-21

[7]

分子水平铱催化剂修饰的WO3复合光阳极及其应用 [P].

夏立新 ;

童海丽 ;

姜毅 ;

张谦 .

中国专利 :CN106801231A ,2017-06-06

[8]

一种WO3/Fe2O3/Mn3O4复合光阳极薄膜的制备方法 [P].

熊贤强 ;

武承林 ;

范利亚 ;

齐子巽 .

中国专利 :CN110016691A ,2019-07-16

[9]

一种形貌可控的WO3薄膜的制备方法 [P].

刘志福 ;

梁玉洁 ;

赵喆 .

中国专利 :CN105481264A ,2016-04-13

[10]

一种半导体金属氧化物WO3的水热制备方法及WO3的应用 [P].

冯亮 ;

胡琪 .

中国专利 :CN112777639A ,2021-05-11

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