一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110344262.X

申请日：

2021-03-31

公开(公告)号：

CN113066670A

公开(公告)日：

2021-07-02

发明(设计)人：

吕慧丹陈丹杨刘勇平林剑飞庄杨王子良

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学

IPC主分类号：

H01G920

IPC分类号：

H01G9042

代理机构：

东莞市汇橙知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44571

代理人：

黎敏强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20210331
2021-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法 [P].

刘勇平 ;

庄杨 ;

吕慧丹 ;

李伟 ;

林剑飞 ;

王子良 .

中国专利 :CN113073355A ,2021-07-06

[2]

超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用 [P].

芮一川 ;

徐雨田 ;

金作明 ;

王晓洁 .

中国专利 :CN114380325A ,2022-04-22

[3]

一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂及其制备方法 [P].

刘勇平 ;

庄杨 ;

吕慧丹 ;

李伟 ;

黄成 ;

王子良 .

中国专利 :CN113151858A ,2021-07-23

[4]

一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法 [P].

吴玲 ;

余海东 ;

刘春阳 ;

李豪 ;

颜家保 ;

俞丹青 .

中国专利 :CN111584241B ,2020-08-25

[5]

一种超薄树叶型WO3纳米片阵列光阳极的制备方法 [P].

张焕晴 ;

徐蓉蓉 ;

孙宏刚 ;

郑纪存 .

中国专利 :CN112951608A ,2021-06-11

[6]

SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 [P].

刘苏莉 ;

陈昌云 ;

韩敏 ;

包建春 .

中国专利 :CN104362000B ,2015-02-18

[7]

一种WO3纳米片阵列的制备方法 [P].

刘勇平 ;

杨之书 ;

吕慧丹 ;

耿鹏 ;

林剑飞 ;

张梦莹 ;

米喜红 .

中国专利 :CN107117831A ,2017-09-01

[8]

具有光热功能的SnS2纳米片阵列结构及其制备方法 [P].

黄卫春 ;

王梦可 ;

訾由 ;

胡怡 ;

朱君 .

中国专利 :CN114014353A ,2022-02-08

[9]

一种WO3纳米片阵列薄膜制备方法及其应用研究 [P].

周保学 ;

曾庆意 ;

白晶 ;

李金花 ;

夏丽刚 .

中国专利 :CN105384358B ,2016-03-09

[10]

一种SnS2纳米片、制备方法及其应用 [P].

吴正翠 ;

薛业静 ;

李保贰 .

中国专利 :CN104096530A ,2014-10-15

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