一种SnS2纳米片、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410347496.X

申请日：

2014-07-21

公开(公告)号：

CN104096530A

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

吴正翠薛业静李保贰

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学

IPC主分类号：

B01J2002

IPC分类号：

B01J2030 C01G1900 B01J2704 B82Y4000 B82Y3000 C02F128 C02F130

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

张巧婵

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01J 20/02 申请日:20140721 授权公告日:20160706 终止日期:20180721
2014-10-15	公开	公开
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588370371 IPC(主分类):B01J 20/02 专利申请号:201410347496X 申请日:20140721
2016-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 [P].

刘苏莉 ;

陈昌云 ;

韩敏 ;

包建春 .

中国专利 :CN104362000B ,2015-02-18

[2]

超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用 [P].

芮一川 ;

徐雨田 ;

金作明 ;

王晓洁 .

中国专利 :CN114380325A ,2022-04-22

[3]

碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用 [P].

何军 ;

程中州 .

中国专利 :CN105964276A ,2016-09-28

[4]

具有光热功能的SnS2纳米片阵列结构及其制备方法 [P].

黄卫春 ;

王梦可 ;

訾由 ;

胡怡 ;

朱君 .

中国专利 :CN114014353A ,2022-02-08

[5]

一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

陈丹杨 ;

刘勇平 ;

林剑飞 ;

庄杨 ;

王子良 .

中国专利 :CN113066670A ,2021-07-02

[6]

一种CuSbS2/SnS2纳米片复合材料的制备方法及应用 [P].

马德琨 ;

李文豪 ;

徐全龙 ;

齐陈泽 .

中国专利 :CN112354546B ,2021-02-12

[7]

一种液相剥离法制备高浓度SnS2纳米片 [P].

蒋连福 ;

董文英 .

中国专利 :CN110028098A ,2019-07-19

[8]

一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法 [P].

刘勇平 ;

庄杨 ;

吕慧丹 ;

李伟 ;

林剑飞 ;

王子良 .

中国专利 :CN113073355A ,2021-07-06

[9]

一种锂离子电池SnS2纳米片负极材料的制备方法 [P].

李辉 ;

陈卫祥 ;

常焜 ;

赵杰 .

中国专利 :CN101609887A ,2009-12-23

[10]

一种MoO2/SnS2纳米复合材料及其制备方法 [P].

王俊鹏 ;

王刚 ;

车全德 ;

杨萍 .

中国专利 :CN108448091B ,2018-08-24

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