一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110344063.9

申请日：

2021-03-31

公开(公告)号：

CN113073355A

公开(公告)日：

2021-07-06

发明(设计)人：

刘勇平庄杨吕慧丹李伟林剑飞王子良

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学

IPC主分类号：

C25B11091

IPC分类号：

C25B155 C25B104

代理机构：

东莞市汇橙知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44571

代理人：

黎敏强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	公开	公开
2021-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 11/091 申请日:20210331

共 50 条

[1]

一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

陈丹杨 ;

刘勇平 ;

林剑飞 ;

庄杨 ;

王子良 .

中国专利 :CN113066670A ,2021-07-02

[2]

SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 [P].

刘苏莉 ;

陈昌云 ;

韩敏 ;

包建春 .

中国专利 :CN104362000B ,2015-02-18

[3]

超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用 [P].

芮一川 ;

徐雨田 ;

金作明 ;

王晓洁 .

中国专利 :CN114380325A ,2022-04-22

[4]

一种二硫化锡-C3N4纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

王子良 ;

刘勇平 ;

庄杨 ;

陈丹杨 .

中国专利 :CN113024128A ,2021-06-25

[5]

一种SnS2@SnO2异质结及制备方法 [P].

张亦哲 ;

吴小平 ;

崔灿 ;

李小云 ;

金立 .

中国专利 :CN111346595A ,2020-06-30

[6]

一种SnS2纳米片负载石墨烯基纳米复合材料的制备方法 [P].

宋品 ;

赵峰 .

中国专利 :CN112786858A ,2021-05-11

[7]

一种制备锂离子电池SnO2/SnS2纳米复合电极材料的方法 [P].

李辉 ;

陈卫祥 ;

常焜 .

中国专利 :CN101609886B ,2009-12-23

[8]

一种Mo掺杂SnO2/SnS2复合石墨烯材料的制备方法 [P].

王依山 ;

张学谦 ;

温广武 .

中国专利 :CN109360964A ,2019-02-19

[9]

基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法 [P].

周译玄 ;

刘玉琪 ;

卢春辉 ;

徐新龙 ;

黄媛媛 .

中国专利 :CN114812805A ,2022-07-29

[10]

原位制备SnO2/SnS2异质结光催化剂的方法及其使用方法 [P].

杨静凯 ;

任望为 ;

孙宇 ;

杨子涵 ;

郑燕芝 ;

赵洪力 ;

梁波 .

中国专利 :CN114505080A ,2022-05-17

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