SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410576681.6

申请日：

2014-10-24

公开(公告)号：

CN104362000B

公开(公告)日：

2015-02-18

发明(设计)人：

刘苏莉陈昌云韩敏包建春

申请人：

申请人地址：

211171 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号

IPC主分类号：

H01G1130

IPC分类号：

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

张慧清

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	授权	授权
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602307143 IPC(主分类):H01G 11/30 专利申请号:2014105766816 申请日:20141024
2015-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用 [P].

芮一川 ;

徐雨田 ;

金作明 ;

王晓洁 .

中国专利 :CN114380325A ,2022-04-22

[2]

一种SnS2纳米片、制备方法及其应用 [P].

吴正翠 ;

薛业静 ;

李保贰 .

中国专利 :CN104096530A ,2014-10-15

[3]

一种液相剥离法制备高浓度SnS2纳米片 [P].

蒋连福 ;

董文英 .

中国专利 :CN110028098A ,2019-07-19

[4]

具有光热功能的SnS2纳米片阵列结构及其制备方法 [P].

黄卫春 ;

王梦可 ;

訾由 ;

胡怡 ;

朱君 .

中国专利 :CN114014353A ,2022-02-08

[5]

一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法 [P].

刘勇平 ;

庄杨 ;

吕慧丹 ;

李伟 ;

林剑飞 ;

王子良 .

中国专利 :CN113073355A ,2021-07-06

[6]

碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用 [P].

何军 ;

程中州 .

中国专利 :CN105964276A ,2016-09-28

[7]

一种SnS2纳米片负载石墨烯基纳米复合材料的制备方法 [P].

宋品 ;

赵峰 .

中国专利 :CN112786858A ,2021-05-11

[8]

一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法 [P].

熊锦华 ;

杨钰莹 .

中国专利 :CN107814408A ,2018-03-20

[9]

一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

陈丹杨 ;

刘勇平 ;

林剑飞 ;

庄杨 ;

王子良 .

中国专利 :CN113066670A ,2021-07-02

[10]

一种CuSbS2/SnS2纳米片复合材料的制备方法及应用 [P].

马德琨 ;

李文豪 ;

徐全龙 ;

齐陈泽 .

中国专利 :CN112354546B ,2021-02-12

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