一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711128867.5

申请日：

2017-11-15

公开(公告)号：

CN107814408A

公开(公告)日：

2018-03-20

发明(设计)人：

熊锦华杨钰莹

申请人：

申请人地址：

364000 福建省龙岩市新罗区东肖北路1号龙岩学院

IPC主分类号：

C01G1900

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

厦门市新华专利商标代理有限公司 35203

代理人：

李宁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 19/00 申请日:20171115
2020-01-31	授权	授权
2018-03-20	公开	公开

共 50 条

[1]

SnS2纳米片制备方法、超薄SnS2纳米片及其应用 [P].

刘苏莉 ;

陈昌云 ;

韩敏 ;

包建春 .

中国专利 :CN104362000B ,2015-02-18

[2]

超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用 [P].

芮一川 ;

徐雨田 ;

金作明 ;

王晓洁 .

中国专利 :CN114380325A ,2022-04-22

[3]

富含S空位的CuInS2超薄纳米片的制备方法及应用 [P].

高晓明 ;

贺红斌 ;

徐凯旋 ;

冯冰冰 ;

胡雅楠 ;

袁中强 ;

赵梓祯 ;

舒悦 .

中国专利 :CN115490260A ,2022-12-20

[4]

一种锂离子电池SnS2纳米片负极材料的制备方法 [P].

李辉 ;

陈卫祥 ;

常焜 ;

赵杰 .

中国专利 :CN101609887A ,2009-12-23

[5]

一种SnS2纳米片、制备方法及其应用 [P].

吴正翠 ;

薛业静 ;

李保贰 .

中国专利 :CN104096530A ,2014-10-15

[6]

一种石墨烯纳米片与SnS2的复合纳米材料及其合成方法 [P].

陈涛 ;

陈卫祥 ;

常焜 ;

马琳 ;

李辉 .

中国专利 :CN102142549B ,2011-08-03

[7]

具有光热功能的SnS2纳米片阵列结构及其制备方法 [P].

黄卫春 ;

王梦可 ;

訾由 ;

胡怡 ;

朱君 .

中国专利 :CN114014353A ,2022-02-08

[8]

一种纳米片组装的球状ZnIn2S4材料及其制备方法 [P].

殷立雄 ;

陈禹飞 ;

刘长青 ;

孔新刚 ;

黄剑锋 ;

郭瑶 ;

陈道伟 .

中国专利 :CN115403066A ,2022-11-29

[9]

碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用 [P].

何军 ;

程中州 .

中国专利 :CN105964276A ,2016-09-28

[10]

一种SnS2纳米片负载石墨烯基纳米复合材料的制备方法 [P].

宋品 ;

赵峰 .

中国专利 :CN112786858A ,2021-05-11

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