富含S空位的CuInS2超薄纳米片的制备方法及应用

被引：0

申请号：

CN202211285908.2

申请日：

2022-10-20

公开(公告)号：

CN115490260A

公开(公告)日：

2022-12-20

发明(设计)人：

高晓明贺红斌徐凯旋冯冰冰胡雅楠袁中强赵梓祯舒悦

申请人：

申请人地址：

716000 陕西省延安市宝塔区圣地路580号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y4000 B01J2704 C10L308 C01B302 C01B3240

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

徐瑶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-20	公开	公开
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20221020

共 50 条

[1]

一种CuInS2超薄膜的制备方法及制备的CuInS2超薄膜 [P].

穆帅 ;

康诗钊 .

中国专利 :CN101546791B ,2009-09-30

[2]

一种超薄CuInS2纳米片及其制备方法和应用 [P].

薛小刚 ;

迟华麟 ;

熊健 ;

徐娟 ;

张坚 .

中国专利 :CN108910939A ,2018-11-30

[3]

一种CuInS2纳米颗粒的制备方法 [P].

向卫东 ;

蔡文 ;

胡杰 ;

赵寅生 ;

王晓明 .

中国专利 :CN102070184A ,2011-05-25

[4]

一种富含S空缺位的SnS2超薄纳米片的制备方法 [P].

熊锦华 ;

杨钰莹 .

中国专利 :CN107814408A ,2018-03-20

[5]

一种温和条件下制备BiOCl超薄纳米片的方法及其应用 [P].

冯德鑫 ;

张显龙 ;

咸漠 .

中国专利 :CN110560097A ,2019-12-13

[6]

富含氧空位与钛空位超薄氧化钛纳米片的制备方法及其产品 [P].

陈宗平 ;

曾飞鸿 .

中国专利 :CN118579831B ,2025-02-14

[7]

富含氧空位与钛空位超薄氧化钛纳米片的制备方法及其产品 [P].

陈宗平 ;

曾飞鸿 .

中国专利 :CN118579831A ,2024-09-03

[8]

处理放射性废水的富含氧空位的氧化钨纳米片的制备方法 [P].

何嵘 ;

雷佳 ;

竹文坤 ;

刘欢欢 ;

温逢春 ;

江新颖 ;

董云 ;

李宸 ;

任俨 .

中国专利 :CN112919545B ,2021-06-08

[9]

一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法 [P].

蔡晓燕 ;

李坤 ;

顾修全 ;

毛梁 ;

李治 .

中国专利 :CN111298809A ,2020-06-19

[10]

具有Mo空位的MXene纳米片的制备方法及应用 [P].

赵玉飞 ;

张美丽 ;

吴文剑 ;

蔡丽蓉 ;

范洪波 .

中国专利 :CN108383121A ,2018-08-10

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