一种CuInS2超薄膜的制备方法及制备的CuInS2超薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910050267.0

申请日：

2009-04-29

公开(公告)号：

CN101546791B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

穆帅康诗钊

申请人：

申请人地址：

200237 上海市徐汇区梅陇路130号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

C03C1722 C30B3300 H01L310264

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

缪利明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-27	授权	授权
2013-06-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101475722237 IPC(主分类):H01L 31/18 专利号:ZL2009100502670 申请日:20090429 授权公告日:20110727 终止日期:20120429
2009-09-30	公开	公开
2010-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101002951239 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2009100502670 申请日:20090429

共 50 条

[1]

一种湿化学法制备CuInS2薄膜的方法 [P].

杜祖亮 ;

黄灿领 ;

胡彬彬 ;

张兴堂 .

中国专利 :CN102229470A ,2011-11-02

[2]

富含S空位的CuInS2超薄纳米片的制备方法及应用 [P].

高晓明 ;

贺红斌 ;

徐凯旋 ;

冯冰冰 ;

胡雅楠 ;

袁中强 ;

赵梓祯 ;

舒悦 .

中国专利 :CN115490260A ,2022-12-20

[3]

一种提高CuInS2薄膜光电转换性能的方法 [P].

元炯亮 .

中国专利 :CN102983206B ,2013-03-20

[4]

电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS2的方法 [P].

于丹阳 ;

汪振中 ;

沙金 .

中国专利 :CN102368512A ,2012-03-07

[5]

一种PZT超薄膜的制备方法 [P].

唐冬雁 ;

李季 ;

李莹 .

中国专利 :CN101712221A ,2010-05-26

[6]

金属超薄膜、金属超薄膜叠层体以及金属超薄膜和金属超薄膜叠层体的制备方法 [P].

村田好正 .

中国专利 :CN1511199A ,2004-07-07

[7]

一种聚酰亚胺超薄膜的制备方法 [P].

蒋耿杰 ;

青双桂 ;

马纪翔 ;

姬亚宁 ;

白小庆 .

中国专利 :CN110343275B ,2019-10-18

[8]

一种自漂浮透明纳米超薄膜的制备方法 [P].

宋永臣 ;

凌铮 ;

王富强 ;

石常瑞 ;

王露 ;

赵佳飞 ;

李洋辉 .

中国专利 :CN114132917A ,2022-03-04

[9]

一种电容器超薄膜的制备方法 [P].

刘帅 ;

王丽华 ;

吴杰 ;

刘必前 .

中国专利 :CN102930982A ,2013-02-13

[10]

一种In4SnS8超薄膜的制备方法 [P].

沈淑玲 ;

李龙 ;

王明杰 ;

吴竹君 ;

孙民权 ;

杨俊和 .

中国专利 :CN105800673A ,2016-07-27

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