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一种纳米片组装的球状ZnIn2S4材料及其制备方法
被引:0
申请号
:
CN202211177651.9
申请日
:
2022-09-27
公开(公告)号
:
CN115403066A
公开(公告)日
:
2022-11-29
发明(设计)人
:
殷立雄
陈禹飞
刘长青
孔新刚
黄剑锋
郭瑶
陈道伟
申请人
:
申请人地址
:
710021 陕西省西安市未央大学园区
IPC主分类号
:
C01G1500
IPC分类号
:
B82Y4000
B01J2704
B01J3508
B01J3710
代理机构
:
西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249
代理人
:
行博宇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-12-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20220927
2022-11-29
公开
公开
共 50 条
[1]
一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法
[P].
殷立雄
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殷立雄
;
高杰
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高杰
;
陈禹飞
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陈禹飞
;
孔新刚
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孔新刚
;
黄剑锋
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黄剑锋
;
刘长青
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刘长青
;
郭瑶
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郭瑶
;
崔军辉
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崔军辉
.
中国专利
:CN114890455A
,2022-08-12
[2]
一种AuPd/ZnIn2S4复合纳米片材料的制备方法
[P].
韩长存
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韩长存
;
刘志锋
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刘志锋
;
童正夫
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童正夫
;
蔡齐军
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蔡齐军
;
马重昊
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马重昊
.
中国专利
:CN110280273A
,2019-09-27
[3]
一种超薄Ti3C2纳米片/ZnIn2S4花球复合光催化剂的制备方法
[P].
李覃
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李覃
;
黄蔚欣
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黄蔚欣
;
李志鹏
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李志鹏
;
刘淑君
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刘淑君
;
张菡洁
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张菡洁
;
李玲瀚
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李玲瀚
;
吕康乐
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吕康乐
;
黄涛
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黄涛
;
孙杰
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孙杰
.
中国专利
:CN113351227B
,2021-09-07
[4]
ZnIn2S4纳米材料及其合成方法和应用
[P].
陈军
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陈军
;
苟兴龙
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苟兴龙
;
高峰
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高峰
;
陶占良
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陶占良
.
中国专利
:CN100384739C
,2006-12-27
[5]
一种超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料及其制备方法和应用
[P].
徐晓翔
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徐晓翔
;
王冉
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王冉
;
金姝
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金姝
;
闫佩毅
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闫佩毅
.
中国专利
:CN113769762A
,2021-12-10
[6]
贵金属/ZnIn2S4/TiO2纳米异质结构光催化剂及制备方法
[P].
张振翼
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张振翼
;
董斌
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董斌
;
刘奎朝
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刘奎朝
;
苑青
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苑青
.
中国专利
:CN104923259B
,2015-09-23
[7]
一种纳米片自组装球状钼酸亚铁材料及其制备方法和应用
[P].
钟远红
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钟远红
;
陈锦锋
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陈锦锋
;
任礼
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任礼
;
许静怡
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许静怡
;
陈金旭
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陈金旭
;
余林
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余林
.
中国专利
:CN113816432A
,2021-12-21
[8]
一种采用片层MoS2制备MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的方法
[P].
陈亚杰
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陈亚杰
;
付宏刚
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付宏刚
;
田国辉
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田国辉
.
中国专利
:CN103331175B
,2013-10-02
[9]
一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法
[P].
蔡晓燕
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蔡晓燕
;
李坤
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李坤
;
顾修全
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顾修全
;
毛梁
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毛梁
;
李治
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李治
.
中国专利
:CN111298809A
,2020-06-19
[10]
一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法
[P].
仇亮
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仇亮
;
顾修全
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顾修全
.
中国专利
:CN108409157A
,2018-08-17
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