ZnIn2S4纳米材料及其合成方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610013827.1

申请日：

2006-05-23

公开(公告)号：

CN100384739C

公开(公告)日：

2006-12-27

发明(设计)人：

陈军苟兴龙高峰陶占良

申请人：

申请人地址：

300071天津市卫津路94号南开大学行政楼605专利和知识产权管理办公室

IPC主分类号：

C01G112

IPC分类号：

C01G900 C01G1500

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

侯力

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101303709758 IPC(主分类):C01G 1/12 专利号:ZL2006100138271 申请日:20060523 授权公告日:20080430 终止日期:20110523
2006-12-27	公开	公开
2008-04-30	授权	授权
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种纳米片组装的球状ZnIn2S4材料及其制备方法 [P].

殷立雄 ;

陈禹飞 ;

刘长青 ;

孔新刚 ;

黄剑锋 ;

郭瑶 ;

陈道伟 .

中国专利 :CN115403066A ,2022-11-29

[2]

一种NiS2/ZnIn2S4复合材料及其制备方法和应用 [P].

熊杰 ;

胡安俊 ;

雷天宇 ;

陈伟 ;

胡音 ;

晏超贻 ;

王显福 .

中国专利 :CN110993971B ,2020-04-10

[3]

一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法 [P].

殷立雄 ;

高杰 ;

陈禹飞 ;

孔新刚 ;

黄剑锋 ;

刘长青 ;

郭瑶 ;

崔军辉 .

中国专利 :CN114890455A ,2022-08-12

[4]

一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法 [P].

仇亮 ;

顾修全 .

中国专利 :CN108409157A ,2018-08-17

[5]

N掺杂石墨烯-ZnIn2S4纳米复合材料的制备方法 [P].

周民杰 ;

阎建辉 ;

张娜 ;

侯朝辉 .

中国专利 :CN104785284A ,2015-07-22

[6]

NiCo2S4纳米材料及其制备方法 [P].

刘俊 ;

刘康乐 ;

李成辉 ;

魏爱香 ;

招瑜 ;

肖志明 .

中国专利 :CN107098403A ,2017-08-29

[7]

ZnIn2S4纳米片光催化C-H活化和CO2还原 [P].

蒋和雁 ;

盛美林 .

中国专利 :CN114736179A ,2022-07-12

[8]

In2O3@ZnIn2S4纳米片材料、制备方法及其应用 [P].

周亚红 ;

刘卓 ;

李俊峰 ;

张海龙 ;

魏爱华 ;

李方红 ;

董子涵 ;

高璐宁 ;

蔡依彤 ;

王馨怡 .

中国专利 :CN110624564A ,2019-12-31

[9]

多孔硅基纳米材料及其合成方法和应用 [P].

万晶晶 ;

王雅婷 ;

舒伟康 ;

李荣鑫 ;

林莹莹 .

中国专利 :CN119819251A ,2025-04-15

[10]

多孔硅基纳米材料及其合成方法和应用 [P].

万晶晶 ;

王雅婷 ;

舒伟康 ;

李荣鑫 ;

林莹莹 .

中国专利 :CN119819251B ,2025-10-10

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