一种ZnIn2S4纳米薄片阵列结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810226667.1

申请日：

2018-03-19

公开(公告)号：

CN108409157A

公开(公告)日：

2018-08-17

发明(设计)人：

仇亮顾修全

申请人：

申请人地址：

221116 江苏省徐州市铜山区大学路中国矿业大学科研院

IPC主分类号：

C03C1734

IPC分类号：

C30B2946 C30B714 C25B104 C25B1106

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

杨晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/34 申请日:20180319
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C 17/34 申请公布日:20180817
2018-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种AuPd/ZnIn2S4复合纳米片材料的制备方法 [P].

韩长存 ;

刘志锋 ;

童正夫 ;

蔡齐军 ;

马重昊 .

中国专利 :CN110280273A ,2019-09-27

[2]

N掺杂石墨烯-ZnIn2S4纳米复合材料的制备方法 [P].

周民杰 ;

阎建辉 ;

张娜 ;

侯朝辉 .

中国专利 :CN104785284A ,2015-07-22

[3]

一种纳米片组装的球状ZnIn2S4材料及其制备方法 [P].

殷立雄 ;

陈禹飞 ;

刘长青 ;

孔新刚 ;

黄剑锋 ;

郭瑶 ;

陈道伟 .

中国专利 :CN115403066A ,2022-11-29

[4]

ZnIn2S4纳米材料及其合成方法和应用 [P].

陈军 ;

苟兴龙 ;

高峰 ;

陶占良 .

中国专利 :CN100384739C ,2006-12-27

[5]

一种花状ZnIn2S4材料及其制备方法 [P].

殷立雄 ;

高杰 ;

陈禹飞 ;

孔新刚 ;

黄剑锋 ;

刘长青 ;

郭瑶 ;

崔军辉 .

中国专利 :CN114890455A ,2022-08-12

[6]

一种In2S3纳米薄片阵列材料的制备方法 [P].

隋美蓉 ;

田旭 ;

高昌盛 ;

时梅林 ;

王永 .

中国专利 :CN114105188A ,2022-03-01

[7]

一种InVO4/ZnIn2S4光催化剂、制备方法及应用 [P].

郭冀峰 ;

杨超思 ;

卢昶雨 ;

李俊峰 ;

王丽萍 ;

马泽阳 .

中国专利 :CN110575837B ,2019-12-17

[8]

一种Cu2S/CuInS2/ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法和应用 [P].

陈卫 ;

陈伟 ;

黄剑 .

中国专利 :CN114130407A ,2022-03-04

[9]

一种WS2/ZnIn2S4复合可见光催化剂及其制备方法 [P].

秦来顺 ;

周佳波 ;

陈达 ;

黄岳祥 ;

孙杏国 .

中国专利 :CN108479810A ,2018-09-04

[10]

一种Z型α-Fe2O3/ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法和应用 [P].

陈伟 ;

陈卫 ;

黄剑 .

中国专利 :CN114130408A ,2022-03-04

← 1 2 3 4 5 →