一种In2S3纳米薄片阵列材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111459945.6

申请日：

2021-12-01

公开(公告)号：

CN114105188A

公开(公告)日：

2022-03-01

发明(设计)人：

隋美蓉田旭高昌盛时梅林王永

申请人：

申请人地址：

221000 江苏省徐州市铜山路209号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

徐州先卓知识产权代理事务所(普通合伙) 32555

代理人：

陈俊杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	公开	公开
2022-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20211201

共 50 条

[1]

一种In2S3/ZnO纳米片阵列薄膜的制备方法 [P].

陈正新 .

中国专利 :CN108516577A ,2018-09-11

[2]

一种Bi2S3纳米材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108358239A ,2018-08-03

[3]

In2S3/NaTaO3复合纳米光催化剂的制备方法 [P].

施伟东 ;

罗必富 ;

陈敏 .

中国专利 :CN106492841A ,2017-03-15

[4]

一种离子液体辅助制备花球状In2S3纳米材料的方法 [P].

郭丽丽 ;

武小满 ;

高远浩 ;

侯珂珂 ;

王晓丹 ;

张洪浩 ;

陈新华 .

中国专利 :CN105692688A ,2016-06-22

[5]

一种RGO/In2S3复合材料的制备方法 [P].

何丹农 ;

卢静 ;

张彦鹏 ;

尹桂林 ;

葛美英 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN106129351A ,2016-11-16

[6]

一种多孔MnO2纳米材料的制备方法 [P].

李济澜 .

中国专利 :CN114604898A ,2022-06-10

[7]

一种制备多孔In2S3薄膜的方法 [P].

陈飞 ;

雷引林 ;

罗云杰 ;

陈珏 .

中国专利 :CN102225847A ,2011-10-26

[8]

一种Ni3S2@VO2纳米复合材料的制备方法 [P].

卢锡洪 ;

周丽君 ;

曾思琪 ;

郑得洲 ;

徐维 .

中国专利 :CN110459745A ,2019-11-15

[9]

一种PEG-CuMo2S3纳米材料的制备方法及纳米材料 [P].

胡俊青 ;

尹秀招 ;

吴明周 ;

艾福金 .

中国专利 :CN112843232A ,2021-05-28

[10]

一种Bi2Te3纳米薄片的制备方法 [P].

周丽娜 ;

张孝彬 ;

赵新兵 ;

朱铁军 .

中国专利 :CN100560479C ,2008-10-29

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